液晶显示屏的非ODS清洗技术研究

本文对液晶显示器行业ODS物质的三种替代技术进行了分析比较,重点对水基清洗技术进行了研究。通过加入适量的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚和脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚磷酸酯,得到渗透性较高,乳化率和发泡性适中的水基型液晶清洗剂。     

用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷

传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。     

粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究

在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓（GaO2H）粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱（XPS）揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.     

深油井超声探测用的压电陶瓷换能器的研究

超声压电陶瓷换能器可以探测5000m以下深处的地质结构和油井固实程度。用于压电陶瓷换能器的PT－PSN陶瓷性能参数是，Tc=380℃,kt=45%,εr=420,tanδ=1.5%，Qm=2200，Ec=733V/mm。经实验测量和现场试验表明，在温度高达200℃时压电陶瓷换能器的性能稳定，测量精度高。     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

Si（111）衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程

采用磁控溅射法在Si（111）衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱（XRD）、X光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：（1）在900℃氮气气氛中退火，非晶态GaN保持不变；（2）在900℃氨气气氛中退火，虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN，但却出现中间相金属Ga；（3）在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中，GaN晶粒将逐渐增大。     

用流变学方法研究铝离子存在时阴离子表面活性剂胶束的生长和结构(英文)

表面活性剂溶液的流变行为是影响表面活性剂应用的重要因素之一。用流变学方法 ,通过测定溶液在不同浓度和温度时的剪切粘度和应力研究了铝离子存在时阴离子表面活性剂十二烷基聚氧乙烯 (3)硫酸钠 (AES)胶束的生长和结构。结果表明 ,升高表面活性剂和盐的浓度或降低温度都可以促进胶束的生长 ,并且形成虫状胶束和网络结构 ;溶液的流变行为不符合Maxwell模型 ,表现为非线性粘弹性和非牛顿流体     

氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为11;GaN晶粒的形状为棒状.     

Ba1-xSrxPbO3系导电陶瓷及其导电性的研究

利用固相反应法即传统陶瓷工艺，制成了Bal-xSrxPbO3系导电陶瓷。用四探针法测量了此种导电陶瓷的电阻率ρr，研究了ρr与Sr含量x和温度T的关系，通过红外光谱分析研究了此种样品。晶格中出现的氧缺位使得晶格结构发生畸变，Sr-O键出现强烈振动，同时产生了红外吸收谱。在氧缺位中存在弱束缚的导电电子。     

退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响

采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.