MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究

本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。     

一种研究油藏剩余油分布的新方法的简要介绍

灰色关联法进行剩余油分布研究是一种综合各种动、静态参数（如微相、生产井影响因子等）的多参数综合评价方法。灰色系统理论以“部分信息已知，部分信息未知”的“小样本”、“贫信息”不确定系统为研究对象，主要通过对“部分已知信息”的生成、开发，提取有价值的信息，实现对系统运行行为、演化规律的正确描述和有效监控。     

InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制

研制了InGaP／GaAs串接太阳电池，结果表明，电池的转换效率在21％～24％之间(IAMO，28℃)，填充因子在79％～81％之间，并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。     

液质联用技术在药品质量分析中的应用进展

药品是一类特殊的商品，具有预防治疗疾病和引起不良反应两方面的特点，当下药品种类繁多，市面上的药品鱼目混杂，开展药品质量分析，有效地对药品实行监督抽检、对制药流程、体内代谢、违法添加等行为进行动态管控显得尤为重要。伴随着新技术的研发，液相色谱质谱联用技术(LC-MS/MS)因具有分析速度快、分离效能高、高特异性和高灵敏度等特点被广泛地应用到新药研发、药品复杂成分鉴定和代谢产物分析等领域。文章从介绍LC-MS/MS的基本原理入手，依次介绍了LC-MS/MS技术在药品含量测定、中药活性成分分析、药品有关物质分析、农药残留检测、非法添加物质分析、药物代谢动力学和药物代谢组学七个方面的研究进展，分析LC-MS/MS技术在各方面的优势特点和不足，并预测其未来的研究发展方向，文章可以为药品检测和研发人员选择合适的检测手段提供参考，也可以为药品监管部门提供技术和理论支持。     

高压合成磷化铟

采用高压温度梯度冷凝法,由元素锢和红磷直接合成纯度磷化铟多晶。每次合成1小时,可得多晶300克。典型纯度磷化铟多晶的电学性质为: n_77K=3.79～15×10~15/cm~3 μ_77K=1·94～2.94×10~4cm~2/V·s 硅和硫是合成中引起沾污的主要杂质。化学分析表明:所得多晶组份接近化学配比,能满足用LEC法拉制各种掺杂或不掺杂磷化铟单晶的要求。     

InGaP/GaAs双结太阳电池的研制

报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池，电池的转换效率在21％-24％之间(1AM0，28℃)，填充因子在79％-82％之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。     

LPE—n—In0.53Ga.047As中少子扩散长度的研究

本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10~(15)cm~(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10~(18)cm~(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出了不同浓度(N_D)的 n-InGaAs 中少子扩散长度的变化情况。发现当 N_D 增大时,L_P 随之下降,并且 L_P 下降幅度在高浓度范围内明显加剧。研究结果表明,对于三元合金 n-In_(0.53)Ga_(0.47)As 材料,只要满足一定测试条件,并对样品表面进行必要处理,用 SPV 法测量扩散长度是可行的。     

电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究

本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400～550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响

对于ＧａＡｓ／Ｓｉ材料由于晶格失配和热膨胀系数失配，外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层，为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷，本文采用高温快速热退火的方法，结合表面光伏（ＳＰＶ），微波光电导谱（ＭＰＣＳ），双晶衍射（ＤＣＲＤ）等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定ＧａＡｓ层厚度的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料最佳热退火温度Ｔｏ，经此温度Ｔｏ快速热退火后，由ＳＰＶ，ＭＰＣＳ所测得的ＧａＡｓ外延层少子扩散长度Ｌｐ数值达最大，ＤＣＲＤ所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄，各项指标均有