脉冲电镀制靶(源)技术研究进展

制备锕系元素靶(源)的常用方法是电镀法(又称电沉积法),它具有沉积效率高、设备简单、操作方便等优点,且可在衬底上获得均匀牢固的镀层。常用的电镀法均使用直流电源。用电镀法制备的靶镀层内应力大,易开裂,沉积厚度有限。近几年来发展了1种新型脉冲电镀制源技术。该技术采用脉冲电源,可提高电流效率,使镀层结晶紧密、牢固,均匀性好,源外观平整,可制备厚度大于150mg/cm2的超厚源和靶,突破了传统电镀法的局限性,是1项极具应用前景的新型制源技术。2005年,在脉冲电沉积可行性验证实验基础上,我们研究了在DMF(二甲基甲酰胺)溶剂中脉冲沉积铀…     

14 脉冲电镀制靶（源）技术研究进展

制备锕系元素靶（源）的常用方法是电镀法（又称电沉积法），它具有沉积效率高、设备简单、操作方便等优点，且可在衬底上获得均匀牢固的镀层。     

分子电镀法定量沉积铀和钚

本文较详细地研究了分子电镀法定量沉积铀和钚的各种条件,推荐了一个定量制备铀和钚标准源(或靶)的程序。在推荐的条件下,铀和钚的平均沉积率大于99%,定量误差为±1%。镀层的均匀性和牢固性测量表明,镀层的质量能满足裂变产额等核参数测量和α能谱测量的要求。     

脉冲电镀与直流电镀制源技术研究进展

近年来，为了研究重元素的化学行为，锕系靶被用来合成多种重元素的富中子同位素。自上世纪70年代以来，制备此类用于裂变截面测量或加速器轰击的锕系元素靶，大多采用分子镀技术。传统的分子镀技术均使用直流电源。为克服传统直流电沉积方法的不利因素，制备厚度与牢固度更高的锕系元素靶，我们对脉冲电沉积制靶技术进行了研究。     

放化法测定~(252)Cf自发裂变产物的绝对产额

本文使用一个已知裂变率的~(252)Cf源,用铝片捕集裂变产物,将捕集片溶解在含有载体的酸性溶液中,使其同位素交换达到平衡后,用标准放化程序进行分离纯化,制成合适的测量源,求得化学回收率,在已知计数效率的仪器上测定放射性计数率。从而得到35个质量链的绝对产额值,列于表1中。     

放化法测定~(252)Cf自发裂变产物的绝对产额

本文用放化法测定~(252)Cf自发裂变产物35个质量链的绝对产额。研究了~(252)Cf自发裂变产物的质量-产额分布曲线。其轻峰平均质量数为106.39±0.08;重峰为141.82±0.09;平均释放中子数v=3.79±0.12。轻、重峰高度1/10处的宽度分别为26.7和26.8个质量单位,峰谷比≥370。实验结果与文献作了比较。     

质谱同位素稀释法测量电镀标准铀靶残液中微量铀

一、前言在裂变率和裂变截面等测量中,往往需要均匀、牢固的微量铀标准靶。电镀法是制备此种标准靶的适宜方法。为了保证电镀质量,必须准确测定电镀液中所残存的铀量。本工作采用质谱同位素稀释法,对电镀残液中的微量铀(～10~(-8)g)进行了测量。     

UF_6中~(232)U含量的核物理测定方法

本工作建立了UF_6中~(232)U含量的测定方法。描述了测量装置和测量原理,给出了测量结果。目前利用该方法能测定UF_6样品中(~(232)U/~(235)U重量比)约为3×10~(-10)的~(232)U的含量。文中还简述了铀样品的物理和化学的绝对测定方法,其不确定度约为±1.5%。     

分子电镀定量沉积稀土元素的条件研究

本文研究了稀土元素在分子电镀中的行为,指出了异丙醇中酸浓度和水含量在电沉积过程中的作用。也研究了某些杂质和沉积层厚度对稀土元素电沉积的影响。推荐了制备稀土元素电沉积源的适宜条件,在推荐条件下沉积厚度小于500微克·厘米~(-2)时,沉积率均大于98％,沉积厚度达4.2毫克·厘米~(-2)时,沉积率仍大于60％,沉积源均匀致密,在裂变产额测定中得到了应用。