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GaAs抛光表面损伤的RBS研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以卢瑟福离子背散射技术(RBS)检测了半绝缘GaAs(100)化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好。通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层。RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs(100)(由LEC法生长)抛光表面散射粒子最低产额低达31%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。 相似文献
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