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本文研究了CZ硅单晶在热处理过程中碳对产生氧施主和加快氧沉淀的作用。实验证实了碳在450℃时能抑制热施主的产生,在750℃时碳能促使生成新施主。在1050℃时由于碳的存在加快了氧的沉淀。实验结果认为CZ硅单晶氧含量小于8×10~(17)cm~(-3)时电阻率的热稳定性较好。  相似文献   
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