YBa_2Cu_3O_x红外吸收谱随氧含量变化的研究

YBa_2Cu_3O_x红外吸收谱中有两个特征吸收峰P_1(620～642cm~(-1))、P_3(540～585cm~(-1)),它们的频率和YBa_2Cu_3O_x中的氧含量密切相关,并且P_1、P_3吸收峰的频率在不同范围内分别对应YBa_2Cu_3O_x的正交相、四方相及正交相向四方相的过渡。根据实验结果,我们提出了一个简单模型来解释YBa_2Cu_3O_x的T_c值与其氧含量x之间的S形关系曲线。     

用应变退火法生长Fe-Ti合金晶体

用应变退火法研究Fe-0.9wt％Ti和Fe-1.2wt％Ti合金的晶体生长,并讨论了一些影响晶体生长的因素,实验指出:在超纯氢气氛或静态高真空的条件下,均能长出较好质量的Fe-0.9wt％Ti和Fe-1.2wt％Ti合金的片状大晶粒。     

用应变退火法生长Fe-Ti合金晶体

用应变退火法研究Fe-0.9wt％Ti和Fe-1.2wt％Ti合金的晶体生长,并讨论了一些影响晶体生长的因素,实验指出:在超纯氢气氛或静态高真空的条件下,均能长出较好质量的Fe-0.9wt％Ti和Fe-1.2wt％Ti合金的片状大晶柱。     

中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰

N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究.     

中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究

本文用傅里叶变换红外吸收低温(10K)光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm~(-1)吸收峰的精细结构。确定1839cm~(-1)与817cm~(-1)吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。     

含氮CZ-Si中N-N对的退火行为

我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.     

不同含氮量的a-SiN_x∶H的红外吸收及释氢谱

用红外及氢释放谱研究了由高频辉光放电分解不同配比的 SiH_4+NH_3+H_2混合气体而制备的a-SiN_x∶H 薄膜。结果发现:随着 N/Si 增加,膜的结构由类 a-Si∶H 形式逐渐过渡到类 a-SiN_(1.33)∶H 形式。当 N/Si<0.56,膜的结构以 a-Si∶H 相为主,当 N/Si>0.73时,a-SiN_(1.33)∶H 相起支配作用。在0.56相似文献