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本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明：晶体表面的P2O5保护层在晶体表面的吸除作用能引起晶体内缺陷和杂质的消失,使晶体的少子帮助τ及τ的合格率大幅度升高。 相似文献
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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响ＮＴＤ硅成品率的因素;命中率及断面均匀性。通过换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了ＮＴＤ硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率。 相似文献
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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响NTD硅成品率的因素:命中率及断面均匀性.通过采用换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了NTD硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率. 相似文献
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