用于硅双漂移雪崩二极管的n＋／np多层外延材料

硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低,因     

亚微米硅外延生长特性研究

本文利用附面层模型，研究了亚性米Ｓｉ外延生长中，生长速率随时间的变化规律，分析不同不的硅源及不同的生长条件对其的影响。