快速接地开关速度分散性大的原因及处理方案探讨

GIS用快速接地开关在进行机械特性测试时,发现设备显示分、合闸速度不稳定,分散性大,无法通过仪器测试的数据准确判断产品是否合格。通过对比分析不同条件下测试的速度结果,发现原因是测试设备未将采样点拟合成连续曲线导致速度分散性大。通过缩短测试时长或采用能将离散采样点拟合成连续曲线的设备,解决了该问题。所提出的方法具有借鉴意义。     

SiO_2包覆Fe-Ni15%合金纳米颗粒的制备及性能研究

采用电弧放电法,在55%Ar+25%H2+20%SiH_4的混合气氛中制备了SiO_2包覆Fe-Ni15%合金纳米颗粒,用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、红外光谱、氧含量分析和振动样品磁强计研究了制备的SiO_2包覆的Fe-Ni15%合金纳米颗粒的相结构、形貌、粒度、表面组成、抗氧化性能和磁性。     

火铺矿选煤厂入选煤量及生产时间分析

以统计资料为基础，分析选煤厂的生产时间特点及处理能力状况，指出应注意和改进的问题。     

利用空压机进行岩溶区引水隧洞深水位抽水试验研究

介绍空压机抽水试验的原理,利用空压机可以解决基岩地层地下水位埋深较深的抽水试验问题,能准确反应含水层的实际状况,分析相关水文地质问题。在现场水文地质测绘和钻探的基础上,进行了滇中引水工程昆呈隧洞黑龙潭岩溶地区引水隧洞深抽水试验,并选取合适的计算公式获取了该隧洞的水文地质参数,为隧洞的勘察设计及施工提供了较可靠的技术支持。     

谈谈原煤灰分与选煤产率及效益

分析原煤灰分对选煤产率和公司及下属各类单位效益的影响，提出搞好煤质管理的重要性。     

去除外延用掺Fe磷化铟晶片表面Si残留的清洗方法

使用常规的清洗工艺清洗后磷化铟衬底晶片在外延后会出现迁移率低的表现,对缺陷的外延晶片进行分析,发现衬底与外延层界面Si元素的含量较大。针对该问题提出了优化的清洗工艺,对常规的SC1清洗工艺进行浓度优化并使用两步清洗,以及在过程中增加柠檬酸溶液清洗来解决Si元素的残留。对优化工艺前后晶片的氧化层厚度、晶片表面颗粒残留、晶片表面粗糙度、晶片的XRD和PL谱图进行了对比分析,并对优化清洗工艺清洗的晶片表面和外延界面Si元素含量进行了测试,结果表明优化清洗工艺能明显提高晶片表面洁净度并降低晶片表面Si元素的残留,最终解决由于Si元素含量较高造成的外延迁移率低的问题。     

SiC/SiO_2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的制备及应用

采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量分析等手段研究了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的相结构、形貌、粒度、表面组成和氧化特性。用粘度计和VSM研究了制备的磁性润滑油的粘度和饱和磁化强度。     

GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及应用

第二代半导体材料砷化镓和磷化铟广泛应用于5G通信、数据中心、新一代显示设备、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域,在光电领域的应用日渐成熟,国内上中下游产业布局趋于完善,下游市场规模将快速增长。对GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及路线进行了综述。     

梯度凝固法晶体生长应用磁场的研究进展

在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体生长的影响。提出了三种磁场各自的优势和在实际晶体生产上的应用前景。     

VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响

垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等,这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷,然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整,成功改善了孪晶、位错重复出现的情况。实验结果表明,增大放肩过程的降温速率有利于抑制放肩过程产生的内切孪晶,但容易增加晶体肩部的位错密度,至等径部位发生位错增殖。为解决此问题,实验在增加放肩降温速率的同时,适当减小了等径降温速率,从而有效抑制了等径部位的位错增殖。最终,实验中生长出了平均位错密度低于50 cm^-2的高质量掺S InP单晶。