首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   0篇
轻工业   6篇
无线电   1篇
冶金工业   1篇
  2012年   1篇
  2010年   2篇
  1997年   1篇
  1995年   2篇
  1993年   2篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
本文讨论了涤棉织物的耐洗抗皱抗起毛起球整理,通过助剂筛选和工艺条件优化,确定了最佳的整理工艺:抗起毛起球剂80 g/L,柔软剂40 g/L,免烫树脂80 g/L.经此工艺处理后,涤棉面料的各项指标可达到客户要求.  相似文献   
2.
邓树军  高宇  姜舰  戴小林  吴志强  刘冰 《半导体技术》2010,35(12):1183-1185
结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料.使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果.改进热场结构:减小加热器与石墨坩埚的间距或减小加热器与保温层的间距都能有效降低直拉硅单晶生长能耗.分析了温场中其他热量的损失,提出了包括减少热场部件与炉体直连,选用低热导率的保温材料的方法可以有效降低能耗.  相似文献   
3.
4.
邓树军 《河北纺织》1997,(3):26-26,38
  相似文献   
5.
6.
大直径直拉硅单晶等径的PID参数优化   总被引:1,自引:1,他引:0  
随着国内硅材料应用技术不断发展,在大直径单晶的直径生长控制方面除了在设备上采用更加先进的双CCD系统,同时也对单晶生长的直径PID提出了更加严格的要求,因此研究单晶生长的直径PID参数设置有着重要意义.以等径阶段PID参数设置为研究对象,采用晶体生长的实验方法研究了不同PID参数控制对晶体生长的影响,分析了不同参数的作用,最终获得了大直径CZ硅等径生长的优化PID控制参数.实验选用TDR-150型单晶炉,Ф700mm热场系统,一次性投人200kg多晶硅,拉制目标直径400mm的大直径硅单晶.从实验中可以分别得到4条晶体生长等径过程中直径波动曲线以及4张等径过程中实际拉速及晶体生长速率波动图.通过对比分析,实验确认了PID 3个参数(P值比例增益,D值微分,I值积分)的合理取值范围及其作用效果:应使P值在系统具备较高灵敏度和稳定控制的平衡点;使D部分在系统频率特性的中频段,以改善系统的动态性能;而使I值在系统频率特性的较低频段,以提高系统的稳态性能,同时又能够作用于长期控制.  相似文献   
7.
8.
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号