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前言C/C复合材料作为优异的结构材料得到广泛应用。但是,由于它在高温氧化性气氛中能被氧化,从而使它的应用受到限制。为解决此问题,已经提出了许多不同的解决 相似文献
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以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。 相似文献
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陈培杖 《固体电子学研究与进展》1987,(4)
采用n-(AI,Ga)As/GaAs异质结构材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波与超高速器件中已逐步成熟,并已开始出现实用化产品。 本简讯首次报导采用汽相外延方法在半绝缘GaAs衬底上生长N-GaAs/(I,Ga八s异质结构材料制作的HEMT,并已证实器件在低温下未出现陷附中心造成的异常。(国外均采用MBE生长的材料)。 所用材料结构为半绝缘GaAs衬底上汽相外延约1卜m In人a1.仲s层(X=0.15)及o.2～0.3urn N-GaAs层,(In,Ga八s层不掺杂,而GaAs层掺杂浓度约 5 x 10‘”cm-‘。为研制HEMT,采用厚度监控技术使顶部N-GaAs层减薄至1000A以内。… 相似文献
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陈培杖 《固体电子学研究与进展》1986,(2)
提出HEMT中二维电子气浓度的抛物线近似公式,建立了HEMT非线性电能荷控制模型.采用电子速场特性双折线近似计算了HEMT伏安特性,与实验数据符合良好. 相似文献
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硬质合金的主要成分W、Ti等是高熔点金属,要把它们直接涂复到机器零件表面上,没有非常高的温度是不行的。自从等离子弧问世以来,为在钢材表面上喷焊硬质合金材料创造了前提。等离子喷焊是本世纪六十年代出现的新技术,我国从六十年代中期开始了对镍基、钴基和铁基等自熔合金粉未的等离子喷焊研究,取得了许多成果。然而对硬质合金晌等离子喷焊 相似文献
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