MOCVD制备过掺杂GaN基稀磁半导体微结构研究

应用MOCVD方法我们在c轴取向的蓝宝石衬底上生长出Fe掺杂和Mn掺杂GaN薄膜。通过改变前驱物的通入量,我们制备出不同掺杂浓度的样品。应用高分辨透射电镜,我们对样品的微结构进行了分析。对于Fe过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Fe3N团簇的存在,并且Fe3N(0002)面平行于GaN(0002)面;对于Mn过掺杂GaN样品,我们发现了六角结构的Mn6N2.58相的存在,并且Mn6N2.58(0002)面平行于GaN(0002)面。同时,由于晶格中掺入了大量掺杂离子,GaN晶格取向遭到了破坏,导致了部分GaN(0002)面的倾斜。磁学测量表明均一相的Fe掺杂GaN显现铁磁性,而均一相Mn掺杂GaN没有铁磁性。由于铁磁性Fe单晶和Fe3N团簇的存在,相比于均一性Fe掺杂GaN,过掺杂GaN样品的磁性大幅度增强,而Mn过掺杂GaN样品显现出很弱的铁磁性,这有可能来源于Mn6N2.58相。     

阴离子表面活性剂锚定实现23.4%转换效率的反式钙钛矿太阳能电池（英文）

金属卤化物钙钛矿薄膜缺陷处的非辐射复合损失仍然是阻碍钙钛矿太阳能电池光伏性能和稳定性进一步提高的主要原因.本文中,我们报道了一种可行的多功能添加剂策略,通过使用硬脂酸铯来钝化钙钛矿薄膜中的缺陷,同时提高对光和湿度的耐受性.实验证明,目标薄膜中的非辐射复合损失得到了有效抑制,同时硬脂酸铯提高了薄膜结晶度,降低了陷阱态密度,增强了界面载流子的分离和传输.因此,本策略将p-i-n反式结构钙钛矿太阳能电池的功率转换效率提高到23.41%.该器件在没有封装的情况下以及潮湿空气中表现出良好的长期稳定性,在720 h后仍能保持初始效率的91.6%.     

大兆瓦级海上风机导管架基础新型过渡段疲劳性能分析

导管架基础过渡段是连接上部塔筒和下部导管架主体结构、确保上部风机载荷有效传递到下部导管架主体结构上的关键结构,具有承上启下的作用,是整个导管架基础设计的重点和难点。以相同海域大、小兆瓦级海上风机为研究对象,采用大型通用有限元软件ANSYS建立基准模型进行分析,提炼出结构频率随结构型式的变化规律。基于不同兆瓦级风机过渡段结构,分别进行强度及屈曲稳定性能分析;同时,结合等效静力荷载方法选用适用于该结构型式的疲劳曲线,计算不同工况下不同兆瓦级风机导管架基础过渡段结构的累积疲劳损伤。在此基础上,对新型大兆瓦级过渡段结构进行疲劳敏感性分析,对不同型式的过渡段结构进行对比计算,最终确定可用于大兆瓦级海上风机导管架基础的新型过渡段结构。     

CoO包覆的Co纳米颗粒的磁滞回线的横向及纵向偏移

利用等离子体-气体冷凝方法制备了具有核-壳结构的Co纳米颗粒，并对其结构和磁性进行了研究。结果表明纳米颗粒的尺寸均匀，平均直径约为20nm，表面包覆着CoO壳层。在CoO壳层和Co核间存在着交换偏置效应。经过磁场冷却，在低温测量的纳米颗粒的磁滞回线不只在横轴方向，在纵轴方向也存在着明显的偏移，并且在横向偏移量和纵向偏移量间存在着线性关系。交换偏置效应和磁滞回线的纵向偏移应该起源于CoO壳层中未被补偿的冻结自旋。根据交换偏置效应的未补偿自旋模型，对Co纳米颗粒的磁场冷却磁滞回线的横向偏移量和纵向偏移量间的线性关系进行了解释。