首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   22篇
  免费   3篇
化学工业   2篇
一般工业技术   1篇
冶金工业   22篇
  2019年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   2篇
  2010年   3篇
  2007年   2篇
  2006年   1篇
  2003年   1篇
  1999年   4篇
  1994年   1篇
  1992年   1篇
  1991年   2篇
排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
郝占忠  王斌 《稀有金属》2007,31(1):97-101
以氧化钆和氟化氢铵为原料,通过X射线衍射、化学分析和实际观察,确定了反应过程中的产物,研究了该体系在不同条件下的反应规律,制定了新的GdF3制备工艺。常压下,粉状Gd2O3与NH4HF2在100℃开始反应,生成GdNH4F4,NH4F,NH3和H2O。224℃时GdNH4F4分解为GdF3和NH4F,NH4F在156—430℃间挥发和分解。反应过程包括合成、分解和脱铵3个反应环节。真空可以降低每一步反应的起、止温度,特别有利于脱铵反应进行。用氟化氢铵制备氟化钆应采用“常压低温合成-真空中温分解.真空高温脱铵”工艺:即压力为101kPa,温度为185℃合成GdNH4F4;压力小于10.1kPa,温度为210℃分解GdNH4F4;压力小于10.1kPa,温度为385℃脱除NH4F。  相似文献   
2.
由于某种原因,稀土冶炼工艺方面的文稿,权将压缩,令人扼腕。为此,本刊从1991年第4期起,拟组织一些国外有关文献,陆续译出,分期刊登,倘能有所裨益,则幸甚矣。  相似文献   
3.
金属铽蒸馏速度的实验测定及理论计算   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文在5×10- 2 ~5×10- 3 Pa真空条件下和1823~2023K 温度范围内对金属铽的蒸馏速度进行了实验测定及理论计算。对比分析了实验测定结果与理论计算结果的差别及其原因,提出了提高金属铽蒸馏速度的措施。  相似文献   
4.
用富镧合金做还原剂制取金属钐   总被引:8,自引:2,他引:6  
在真空下,氧化钐直接用镧或混合稀土金属热还原制取金属钐的工艺已普遍采用,一般的做法是,制备高纯金属钐时使用金属镧做还原剂,制备较低纯度金属钐(99%)时则使用廉价的混合稀土金属做还原剂。但由于混合稀土金属含铈量较高(50%左右),车  相似文献   
5.
影响真空蒸馏提纯稀土金属因素的探讨   总被引:3,自引:2,他引:1  
姜银举  郝占忠  张小琴  代清 《稀土》2003,24(4):60-63
探讨了影响真空蒸馏提纯稀土金属生产工艺因素的几个问题:(1)动力学因素:蒸馏速度;蒸馏速度与冷凝速度的关系。(2)坩埚材料及冷凝器材料。(3)提纯效果:杂质的提纯效果;几个关键杂质元素的控制;冷凝锭中杂质元素的偏析现象。  相似文献   
6.
金属镝、钬、铒蒸馏提纯效果的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文研究了金属镝、钬、铒的真空蒸馏提纯效果。实验结果表明,通过真空蒸馏,金属镝、钬、铒中的气体杂质及蒸气压与基体相差较大的杂质可有效去除,去除率分别为:镝91.4% ,钬94.2% ,铒92.9% ;对蒸气压与基体相近的杂质元素基本无去除效果。  相似文献   
7.
金属铕制备工艺的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文采用正交实验的方法,研究了金属铕的制备工艺条件。实验结果表明,还原-蒸馏温度1100℃,还原剂过量系数0.3,保温时间1.5小时,金属铕的纯度大于99.9%,直收率大于90%  相似文献   
8.
以氟化钆为原料,金属钙为还原剂,在真空感应炉内,用钙热还原和XRD法研究了金属钆中钨的来源、形态、分布、演化迁移行为和调控方法。结果表明,金属钆中钨主要来源于坩埚,以熔解态钨和夹杂物Gd_2(WO_4)_3两种形态存在。钨在金属钆铸锭的下表面中心区域位置发生偏聚,含量最高,上表面二分之一半径处含量最低。演化迁移行为主要有两条途径,单质钨经脱落、熔解、熔体中迁移再分配、铸模内向中心和底部迁移;单质钨被氧化为氧化钨后,进入熔体与钆结合为Gd_2(WO_4)_3、铸模内向中心和底部迁移。从钨坩埚致密性、熔炼氛围、炉内残余氧量、原辅料纯度和升降温制度等方面调控后,可获得平均钨含量为0.008%的金属钆。  相似文献   
9.
碳热还原法制备单硫化铈的反应机理探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
碳热还原法制备单硫化铈的反应机理探讨姜银举,秦凤启,郝占忠(包钢稀土研究院包头014010)单硫化铈是高熔点(2450℃)难熔材料,并具有导电性,对许多熔融金属及盐类具有稳定性。因此,单硫化铈在电子工业、冶金工业及尖端技术等领域有广阔的应用前景。单硫...  相似文献   
10.
以固定床气体氟化反应器(480mm×1100mm)为对象,通过合理简化,建立了反应器的数学模型,利用fluent软件对反应器内的温度场和流场进行了数值模拟。结果表明,现行固定床氟化反应器温度分布不均匀、梯度大,气体入口处附近有一低温区域;气体在各区域流速差异较大、流场分布不均匀,在反应器周边和进、出口端均存在气体的回流,在局部区域出现涡流中心或流动停滞区,形成氟化反应"死区",降低了氟化效率;料盘侧面易形成气体短路,造成HF气体浪费。实测温度和产品氧含量分析表明,模拟模型假设合理,模拟结果准确、可行,可为改善反应器结构提供新思路。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号