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机械工程材料中使用的陶瓷,与原来的陶瓷材料有所不同,它务求无机物持有耐热、强度、硬度、耐蚀等性能,即所谓新陶瓷或称作精密陶瓷。它比金属抗冲击性差,容易脆裂,加工比较困难,若克服了陶瓷的这
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生产大规模集成电路用的硅外延片,易被直接接触的石墨基座沾污,造成“自渗杂”。本文试用LPCVD法在硅片外延用的石墨基座表面包复SiC,获得厚~20微米,致密均匀,纯度很高的α-SiC涂层,在硅片外延时有效地防止了石墨基坯中的碳和其它杂质对硅片的沾污。在生产应用试验中制得了高质量的硅外延片。
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