全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究

利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应.在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律.在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显.此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使品格升温迅速.     

分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜

报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌，发现改性后薄膜孔洞大小均匀，排列有序，孔径在200nm左右。付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明，改性后薄膜内存在大量的一CH3键，增强了薄膜的憎水性，可以有效抑制孔洞塌缩。用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚，并且研究了热处理温度对二者的影响，发现当热处理温度为350℃时薄膜厚度约为400nm，此时介电常数有最低值1．66。