Ce、Cr∶YAG微晶玻璃的制备及光谱性能研究

目前白光LED在红光波段发射较弱,导致其显色指数偏低,在白光LED用Ce∶YAG微晶玻璃中掺入Cr3+来增强红光波段的发射,从而提高显色指数。通过X射线衍射、荧光光度计、电光源参数测试对样品的晶相、光谱性能及荧光寿命进行了表征。研究了Cr3+对Ce∶YAG微晶玻璃发光性能的影响,并对其增红机理进行了初步的探讨。结果表明基质玻璃在1400℃热处理可析出纯的YAG晶相;Ce∶YAG和Ce、Cr∶YAG微晶玻璃在460nm激发下,在480～650nm产生有效发射,发射光谱中心波长位于530nm;由于Ce3+(2E)-Cr3+(4T)之间的非辐射能量传递,Ce、Cr∶YAG微晶玻璃在688、692和705nm处有红色发射峰,能有效地提高白光LED的显色性能。     

白光LED用Ce，Sm共掺杂YAG单晶荧光材料的光谱性能

对白光发光二极管（light-emitting diode,LED）用Y3Al5O12（YAG）单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究。采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG及Sm,Ce：YAG晶体,并通过吸收光谱、激发光谱和发射光谱等对晶体的光谱特性进行表征。结果表明：Ce：YAG单晶作为荧光材料被发射波长460 ...     

Ce:YAG微晶玻璃制备及光谱性能

在Y2O3-Al2O3-SiO2-Li2O-K2O-Na2O基质玻璃中掺入Ce,经过不同温度热处理,制备出白光LED用Ce∶Y3Al5O12(Ce∶YAG)微晶玻璃.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、场发射扫描电子显微镜、荧光光度计等方法对微晶玻璃的晶相、所掺杂Ce的价态、微观形貌以及光谱性能进行了研究.结果表明:...     

风电箱体铸件气孔缺陷的解决方法

球墨铸铁箱体铸件是风力发电机组中较关键的部件。在下箱体铸件的实际生产中发现因气孔缺陷引起的渗油或漏油造成大量铸件报废。通过对该铸件的铸造工艺进行分析研究,发现造成气孔缺陷的主要原因是因为树脂砂的发气量大,型芯的排气不顺畅所致。通过改进铸造工艺,在型芯中增加排气孔,保证了型芯之间的排气道在浇注过程中和浇注完成后始终畅通,从而基本消除了气孔缺陷。同时,加强生产过程管理,严格执行箱体铸件涂料涂刷的工艺要求和树脂固化剂加入量的规定,对消除气孔也起到关键性作用。     

钨酸铅（PbW04）晶体的研究进展

钨酸铅（PWO）晶体由于其自身特点：高密度（8．28g／cm^3）、短辐射长度（0．87cm）和Moliere半径（2．12cm）、快的闪烁衰减时间（t〈50ns）以及较强的抗辐照损伤能力，已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一，作为一种良好的闪烁晶体，PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶...     

A novel green-yellow emitting phosphor Ca1.5Y1.5Al3.5S1.5O12：Ce^3＋ and its luminescence properties

We described the synthesis and luminescence of Ca1.5Y1.5Al3.5Si1.5O12:Ce3+ phosphor for light emitting diode (LED). The crystal-linity, morphology, structure, and luminescence spectra were examined by X-ray diffraction, field emission-scanning electron microscopy and photoluminescence spectroscopy. The results showed that Ca1.5Y1.5Al3.5Si1.5O12:Ce3+ phase was a dominating phase with little impurity phase peaks of Y2O3 when the sintered temperature reached to 1400 oC. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) images showed the particle size of the phosphor was about 3 μm. Meanwhile, the excitation and emission spectra indicated that the as-prepared phosphors could be effectively excited by blue (460 nm) light and the excitation spectrum showed a broad band extending from 400-500 nm, while emission spectrum showed a broad yellow band peaking at 534 nm. The decay curve at the emission peak consisted of fast and slow components. The Ca1.5Y1.5Al3.5Si1.5O12:Ce3+ should be a promising yellow phosphor for near blue-based white-light-emitting diodes (LEDs).     

白光LED用新型Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

开展了白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究,采用提拉法生长Eu,Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征。结果表明,Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480～650nm的宽峰发射。Eu3+或Gd3+共掺杂会对Ce3+离子的发光产生影响:Eu3+离子的掺杂,会对Ce3+离子的发光产生淬灭效应;而Gd3+离子取代基质Y3+离子可以使Ce3+离子的发射峰发生红移。     

CuInS2纳米晶的制备及三阶非线性光学性质的研究

以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS),Z-Scan技术对粉体的结构、形貌、相组成、三阶非线性光学特性进行表征。结果表明:通过一锅法可以合成单分散颗粒尺寸为5-7nm的金字塔形CuInS2纳米晶;分散在正己烷中的CuInS2纳米晶的三阶光学非线性折射率γ,三阶光学非线性吸收系数β以及三阶光学非线性极化率χ(3)分别为3.444×10-17m2/W,4.526×10-7m/W和1.390×10-8esu。     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展

钨酸铅(PWO)晶体由于自身特点:高密度(8.28g/cm~3)、短辐射长度(0.87cm)和Moliere半径(2.12cm)、快的闪烁衰减时间((?)<50ns)以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。