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采用熔体快淬法在40 m/s制备了SmCo7-xHfx (x=0, 0.1, 0.15, 0.2, 0.3)合金薄带,研究Hf取代量对SmCo7-xHfx合金的相组成、组织结构及磁性能的影响.结果表明:随Hf取代量的增加,均可获得TbCu7型结构的亚稳相,晶格常数a和c也随之增加,c/a比值在0.82~0.83,晶粒平均尺寸减小,且更加均匀;在性能方面,Hf取代量为0.2时,可获得最优磁性能Br为0.55 T和Hc为1 084 kA/m. Hf的添加还可有效改善合金高温性能,在27~400 ℃温度区间,矫顽力温度系数由未添加时-0.21 %/℃改善到-0.18 %/℃,提升14.3%. 相似文献
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家用燃气事故、汽车尾气和工业废气等问题日趋严重,传统气敏材料已很难满足对气体监测越来越高的要求,纳米结构α-Fe2O3因其热稳定性好、选择性好,以及无毒、抗腐蚀性强、环境友好、价格低廉等已成为最重要的气敏材料之一.采用简单的热氧化法成功制备了α-Fe2O3纳米线.纳米线平均直径为20~50 nm,长度可达1~5μm;以制备的α-Fe2O3纳米线为探测材料的气敏元件在50×10-6乙醇气氛中的最佳工作温度为383°C,灵敏度可达2.4,响应和恢复时间分别为13 s和6 s.基于α-Fe2O3纳米线制备的气敏元件在乙醇中的气敏机理为表面电阻控制型. 相似文献
3.
研究了不同含量的Nb添加对(Nd0.5Ce0.5)13Fe82-xNbxB5快淬合金的磁性能、物相组成、交换耦合作用及其初始磁化机制的影响.发现Nb添加能抑制α-Fe的形成,显著改善合金的磁性能.当Nb的添加量(原子分数)为0.5%时,合金获得较优的磁性能.随着Nb的添加量(原子分数)从0增加到0.5%,合金的矫顽力由未添加时的777 kA/m提升到900 kA/m, 最大磁能积也从未添加Nb时的64 kJ/m3增加到78 kJ/m3,而合金的剩磁仅由未添加Nb时的0.71 T轻微下降到0.70 T.合金中晶粒间的交换耦合作用随着Nb的添加而增强.合金的初始磁化机制也有了显著地变化. 相似文献
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综述了我国稀土矿中伴生的天然放射性核素的种类、放射性强度及其加工利用过程中核素迁移及演变规律的研究进展,提出该领域重要的研究发展方向为:①分析确定各种稀土矿天然放射性核素种类和辐射性质;②研究南方离子型稀土提取利用过程中放射性核素迁移与演变规律;③建立放射性核素分布数据库. 相似文献
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为研究离子吸附型稀土矿开发利用过程中天然放射性核素的种类、活度浓度水平及其迁移变化规律,对江西省赣南地区的离子吸附型稀土原矿和提取过程中废渣和废水中的天然放射性核素进行了调查研究。结果表明:安远、龙南稀土原矿除杂渣中天然放射性核素含量最高,其天然铀、镭-226和钍-232的最高活度浓度分别为3.69×104、8.33×103和3.40×103Bq/kg;提取过程中酸溶渣中天然铀、镭-226和钍-232的最高活度浓度分别为2.58×104、2.81×104和2.75×104Bq/kg;部分稀土渣头渣中天然铀和钍-232的放射性、个别企业中和渣中天然铀的比活度高于国家标准规定的豁免水平(1 000 Bq/kg),部份稀土企业外排废水中钍、铀总量高于国家排放标准的限值(0.1 mg/L)。 相似文献
6.
采用简单热氧化蒸发沉积法在ITO玻璃基片上制备了大面积MoO3微纳米片。制备出的微纳米片具有良好晶体结构,其长度、宽度和片层厚度分别可达100,1~5μm和约100nm;微纳米片沿[001]方向生长,这是因为晶体各方向键合能的不同而具有不同的生长速度,其形成过程遵循气-固生长机制。光致发光谱显示室温下MoO3微纳米片同时具有紫光发射峰、蓝光发射峰和绿光发光带,发射光强度随氧化沉积温度升高而增大,这是由于温度升高,微纳米片缺陷增加导致的。 相似文献
7.
简述了我国钕铁硼永磁材料产业技术现状,针对存在的高磁能积、高矫顽力、产品一致性好烧结钕铁硼磁体生产工艺不稳定以及各向异性粘结钕铁硼磁体产业化技术不成熟等问题,提出了可通过改善烧结钕铁硼制备工艺、开发耐高温高矫顽力烧结钕铁硼以及加大各向异性粘结钕铁硼产业化技术研究来提升我国钕铁硼永磁材料产业技术水平。 相似文献
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介绍了稀土永磁材料在汽车、风力发电、变频空调、电子信息、医疗设备等领域具有广阔应用前景和巨大的市场需求.论述了江西稀土永磁材料产业面临的重大发展机遇,并指出目前江西稀土永磁材料产业存在生产企业规模小、产品档次低、科研创新能力薄弱、产业链不完善等问题.最后从产业基地建设、科研创新平台打造以及人才引进等方面提出了相应的发展建议. 相似文献
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钟明龙 《有色金属科学与工程》2013,4(4):47-50
传统金属氧化物气敏材料因其灵敏度低、选择性差、工作温度高等缺点已很难满足高性能气敏元件的要求,而纳米气敏材料具有高的比表面积,可显著改善材料的气敏特性.文中采用简单的电热板在330~430 ℃、空气气氛下、一步法成功制备出了具有良好单斜晶体结构的CuO纳米线,平均直径为20~30 nm,长度可达1~5 μm;CuO纳米线气敏元件在100×10-6乙醇气氛中的最佳工作温度约为260 ℃,其灵敏度分别为1.36和1.64,恢复和响应时间均小于5 s. 相似文献
10.
在空气气氛下,通过简单的电热板将氧化沉积在硅基片上的钴薄膜在553~723 K下加热24 h,制备出了大面积Co3O4纳米片,并对纳米片的形貌、晶体结构、生长机制及其磁性能进行了系统研究。结果表明:Co3O4纳米片垂直基片生长,其厚度约为25~80 nm,长度可达1μm,纳米片尺寸随热氧化温度升高而增加。与相应的块体材料对比,Co3O4纳米片的Néel转变温度TN显著降低,约为20 K。450℃热氧化形成的样品5 K时的磁滞回线具有明显交换偏置,交换偏置场约为9.6×10-3T。Co膜简单热氧化生成Co3O4纳米片的过程分为两步:首先在Co膜表面由里往外形成了Co O层和Co3O4层,随后Co3O4纳米片在外层的Co3O4氧化层上形核生长,并最终形成了未氧化的Co层/Co O层/Co3O4层/Co3O4纳米片层的多层结构。这种较低温度下热氧化生成Co3O4纳米片的生长过程是一种短程扩散生长机制,并受钴离子的向外扩散速率控制,生成的纳米片的形状与Co3O4晶体结构密切相关。 相似文献