过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响

采用电性能测定和微观结构分析等方法研究了过量TiO2助烧剂对Ba0.998La0.002TiO3陶瓷晶粒生长的影响.结果表明:对于Ba0.998La0.002TiO3陶瓷在有液相参与烧结的晶粒溶解-淀析过程中,晶粒生长的必要条件是不仅要有液相的形成,而且BaTiO3晶粒必须在液相中有一定的溶解度.由于BaTiO3晶粒在Ba6Ti17O40和Ba2TiSi2O8液相中有足够的溶解度,促进了晶粒的生长,同时旌主掺杂离子进入晶格而释放氧,形成半导性的陶瓷,而BaTiO3晶粒不能溶解于Ba2Ti2SiP2O13液相中,抑制了晶粒的生长.     

碳酸钙晶须在涂料中的应用

碳酸钙晶须加入硅溶胶、VAE(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)乳液、苯丙乳液等基体中，不仅可以显提高复合体系的黏度，而且可以改善抗开裂性、附着力、强度等     

纳米尺度下钯元素的催化效应及气敏机理

在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解。认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地分布。所形成的PdO1-x纳米晶,能更均匀地存在于纳米结构厚膜材料载体中,有望对可燃性气体起到最有效的纳米催化作用。实验结果表明当Pd2+离子最佳的引入量为1.04mol%时,对3000×10-6甲烷的灵敏度可达9～11。     

烧制工艺对氧化镁活性的影响

为获取高活性氧化镁，以提供镁铝水滑石阻燃剂制备的实验依据，采用X射线衍射研究烧制工艺与氧化镁的结晶状态的关系，结果发现烧制温度和烧制时间对氧化镁的活性有较大的影响，而不同活性的氧化镁对镁铝水滑石有决定性影响。在500℃-750℃的范围内，镁盐的烧制温度为500℃-550℃，保温时间2h，这样的氧化镁的活性最大，用其制备镁铝水滑石试样纯度较高。     

涂敷型碳化硅防晕漆防晕性能的试验研究(摘要)

在电机线圈端邙直接用碳化硅防晕漆涂布在其绝缘表面上,再在其上面涂敷一层特殊的面漆,经加热或气干后即可使用的防晕方法,工艺简便,维修容易,不增加线棒     

电机线棒内腐蚀原因的探讨

一、引言电机线棒电腐蚀妨碍发电机安全运行,引起电机制造行业和发电部门广泛注意。国内把槽部放电腐蚀分为内腐蚀和外腐蚀。1970年刘家峡会议提出了解决外腐蚀的六条措施,取得了良好的效果。1971年国内对电腐蚀进行了研究,提出     

水热处理对固相合成的钛酸钡粉体的影响

以采用固相法合成的BaTiO3粉体为前驱物，研究了3种不同配料方式的水热条件进行水热处理后粉体的化学组成、颗粒形貌以及粒度分布的变化。结果表明，经过BaTiO3＋HzO＋NaOH＋BaCl2水热处理，原始粉体中的大颗粒发生裂解，小颗粒发生溶解，外加的Ba^2＋与颗粒表面的Ti（OH）6^2-发生水热反应而生成新的BaTiO2晶粒，使粉体的粒度变小，粒度分布范围变窄，颗粒形貌变得规则，粉体化学组成更符合化学计量，实现了高温高压下水热反应的“整形”作用。     

Ba1-xLaxTiO3陶瓷的晶界再氧化机理研究

不同La施主掺杂浓度的BaTiO3陶瓷在H2／Ar的还原气氛下烧结后，再在氧分压PO2=260Pa的气氛（Ar和O2的混合气体）下进行氧化，通过氧流量计检测还原样品在再氧化过程的吸氧行为；用TEM分析样品氧化后显微结构的变化，测定了在不同最高氧化温度下氧化样品的PTCR效应以及复阻抗图谱．结果表明；氧流量计在升温阶段检测到三个不同行为的吸氧峰，峰Ⅰ（起始温度-250℃）为氧空位的填充过程；峰Ⅱ（起始温度-800℃）和峰Ⅲ（起始温度-1250℃）为还原相的氧化过程，具体来说，峰Ⅱ是通过晶界扩散提供氧使靠近晶界附近的区域被氧化；而峰Ⅲ是由晶格扩散过程控制，氧化过程从晶界逐渐向晶粒内部区域扩展，并伴随着富Ti的Ba6Ti17O40相的沉淀．在还原相向氧化相的转变过程中，于晶界处形成了两个具有晶界势牟的电结构单元而使陶瓷旱现强PTCR效应．     

环氧包封层对高压陶瓷电容器耐电压水平的影响研究

随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大，环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一，其与电机械力的联合作用造成陶瓷－环氧界面的劣化。本文就减少残余应力，改善高压陶瓷电容器耐电压水平的不同方法进行了深入研究，提出了退火、静置和提高填料量以及对包封层增韧等技术手段。     

模拟碳化塔中碳酸化反应合成碳酸钙晶须研究

在模拟碳化塔中进行了碳酸钙晶须合成的研究，发现压缩空气和CO2气体流量、温度、反应的液面高度对反应时间和碳酸钙晶须的生长具有很大影响，得出了适合碳酸钙晶须生长的反应条件。