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本工作用热解石墨做籽晶在F e-C、F e-C-S、F e-C-S-C e合金熔体中生长。观察(0001)和(1010)晶面外延生长层的组织。用离子腐蚀法显示{0001}晶面族的取向。对从熔体中提拉出来的外延层表面进行形貌分析和X-射线衍射。本工作获得的有关在F e-C熔体中石墨生产机理的新结果验证了笔者在[11]中提出来的模型。本工作指出S、O等表面活性元素干扰微弱的情况下,石墨晶体按[0001]和[1010]晶向的生长速度相接近。但是,生长方式有所不同,按[0001]方向是以螺旋晶方式生产,而按[1010]方向则以板状树枝晶方式生产,并有一些晶体发生扭转而改变其生长方向为[0001]。S的干扰使(0001)晶面上的若干螺旋晶受到封锁,而另一些未被封锁的螺旋晶则取倾斜错开的方式分叉生长。以(1010)晶面为基底生产的晶体,因S的干扰(抑制作用)而不稳定,呈孪晶面方式改变其生长方向。C e的球化作用在于与S、O化合而牵制它们。此外,本工作还发现,球化元素还促使石墨按[0001]方向生产的晶体强烈分枝并呈“小角簇”螺旋生长;抑制石墨在[1010]方向的生长,并扭转其生长方向使之按[0001]方向生长。这些生长方式均导致球状晶的形成。 相似文献