一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路

基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130 nm标准CMOS工艺将其与128 kb的相变存储器实验芯片集成.相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15 kΩ左右降至7 kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升...     

碳酸钠体系硬质合金磨削废料碱融焙烧-水浸工艺研究

采用碳酸钠碱融焙烧-水浸工艺处理硬质合金磨削废料，系统考察了焙烧温度、碱用量、焙烧时间、水浸参数等工艺条件对WC转化效果的影响。在较优的碱融焙烧-水浸工艺条件下，WO3浸出率高达98%以上，磨削废料中钨组元能被高效一步转化为粗钨酸钠溶液；提高焙烧温度和碱用量均能有效提高WO3浸出率；通过调控粗钨酸钠溶液pH值为9～11，可降低溶液中Cu、Cr、SiO2 等杂质浓度。     

利用相变存储器不对称性的写入优化方法

相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦写独立的写入方法,RSIW（Reset and Set Independently Write）。该方法不同于传统的写入方案,将写和擦的操作分离,让慢速的写操作在空闲时进行,使得相变存储器的写入速度获得显著提升。同时,RSIW还能结合磨损均衡的策略,有效地均衡各个块的写入频率。对擦写独立的写入方法和实施细节进行了描述,对比了同类使用相变存储器擦写不对称性进行优化的方案,最后使用gem5仿真器进行了实验,根据实验结果,该方法对比同类的技术能将系统的运行效率提高37.1%~69.1%。     

操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响

基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验.分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET操作电流的关系进行了研究.实验结果表明,存储单元的疲劳寿命和RESET脉冲幅值的平方呈反比关系,和脉冲宽度呈反比关系.在相变存储器的操作过程中,高阻态下的电阻值出现先减小后增大的漂移现象,这是因为操作电流会对相变材料组分产生影响,在相变材料层中会出现逐渐增大的孔洞,孔洞最终导致相变器件失效,与实验中高阻态阻值漂移现象相吻合,同时可以用来预测存储单元的疲劳寿命.     

高频燃烧红外吸收法测定碳化钨粉总碳量

采用高频燃烧红外吸收法测定碳化钨粉总碳含量,对影响测定结果的助熔剂种类、用量、分析方法设定、样品称样量选择等进行了研究分析,获得最佳分析条件：称样量0.2 g,助熔剂组合及用量为钨粒1.0 g+铜粒1.0 g。对测定其检出限、测定下限和精密度实验等项目指标分析,通过空白试验测得方法检出限为0.0006%,检出下限为0.002%,利用碳化钨粉总碳标准样品进行精密度和准确度验证,11次平行测定的相对标准偏差为0.28%,结果表明该方法测定数据稳定,准确度高,可应用于碳化钨粉产品总碳含量的测定。     

WO3添加量对超粗硬质合金微观结构及性能影响*

本文以WC、WO₃、Co、C为原料,通过原位细晶溶解-析出长大法制备了超粗硬质合金,并分析了不同WO₃添加量对合金微观结构及性能影响规律。结果表明：初始粉末中加入的WO₃和C在烧结过程中将发生原位一步还原碳化反应转化为高活性的细WC,促进溶解-析出长大现象,使超粗硬质合金WC平均晶粒度随着WO₃含量增加而增大。同时,WO₃添加能够减少粗WC晶粒微观缺陷和曲边的阶梯状表面,平直化晶粒边界,使其形貌趋于形成完整的三角棱柱体,其(0 0 0 1)晶面占比高,能够有效提高合金硬度,阻碍裂纹扩展,增加钴相韧性断裂比例。当WO₃添加量为4.20wt.%时,制备的超粗硬质合金具有最大的硬度(1085kgf/mm₂⁾和抗弯强度(2692MPa)。