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1.
组织培养技术在葡萄无核育种上的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
葡萄组织培养技术,特别是胚、胚珠培养技术在无核葡萄育种研究中发展迅速。利用无核葡萄品种作母本,特别是利用假单性结实的无核葡萄品种作母本,用无核品种涂父本进行杂交,合子胚还未败育时,采用胚珠培养技术可以得到杂种实生苗.这种杂种实生苗无垓比例较高,可以达到82%,理论上可达100%。选择合适的亲本,掌握无核葡萄胚珠败育时期,培养基激素的选择,以及如何促进胚的萌发,是正确利用这项技术的关键。 相似文献
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3.
p型ZnO薄膜制备的研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
ZnO是一种性能优异的"低温蓝光工程"宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实现n型向p型导电的转变。为此,阐述了ZnO薄膜的p型掺杂机理,介绍了国内外研究者在抑制自补偿、提高受主掺杂元素固溶度及寻求合适的受主掺杂元素等方面p型ZnO薄膜的最新研究进展。研究表明:增加ZnO材料中N原子固溶度的各种办法如施主-受主共掺杂、超声雾化气相淀积及本征ZnO薄膜在NH3气氛下后退火等和选择IB族中的Ag为受主掺杂元素是实现ZnO薄膜p型导电的有效措施。期望通过本综述能为国内ZnO基器件应用的p型ZnO薄膜的制备提供新思路。 相似文献
4.
针对拦截卫星的末端轨道拦截任务,研究了基于状态反馈的轨道控制器设计方法.考虑系统参数不确定性,建立了相对运动模型.同时考虑系统有限时间二次型性能指标、控制输入限幅和极点配置,提出了多约束条件的控制器设计问题并给出了控制器的设计方法.该方法采用线性不等式技术,根据Lyapunov稳定定理推导出控制器存在的充分条件,并将控制器的设计转化为一个凸优化问题进行求解.仿真结果表明,设计的控制器能够使系统稳定,并且能在获得最优系统有限时间性能的同时满足控制输入限幅和极点区域限制. 相似文献
5.
随着45nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅,二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。 相似文献
6.
文中设计了一种在精密加工操作中,对操作人员及外界非正常颤抖信号进行检测并自动补偿的微型操作仪。仪器结构精巧,具有可拆卸及更换的加工探头,方便不同精密加工的使用;采用激光干涉仪对精密加工位置信号进行检测,基于经典PID闭环控制和边缘检测原理,对干扰信号进行判断并做出相应补偿措施;采用压电陶瓷微电动机PM的逆向运动自动补偿颤抖产生的误差,从而保证精密加工的可靠性和精确度。实验表明,该微型仪器能自动补偿颤抖干扰信号,精度可达到1μm,对精密加工的精度提高及误差补偿研究有一定借鉴价值。 相似文献
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