高炉炉身合理结构的探讨

高炉是炼铁生产的主体,它的建设投资大,施工周期长。因而,高炉的寿命一直为炼铁工作者所重视。目前,决定高炉寿命的关键已从炉缸、炉底转移到炉身,特别是炉身下部已成为急待解决的关键部位。国内有些大高炉生产两年左右就因炉身损坏而被迫停产中修,以致一代高炉需要二至三次中修,这不仅需耗巨资,而且影响产量,造成双重经济损失。所以,国内外高炉工作者都在努力寻求延长炉身寿命的办法和措施,力争高炉炉体同步大修。     

微结构光寻址电位传感器阵列芯片的研制

详细介绍了采用MEMS技术研制的三维微结构LAPS阵列芯片,芯片表面划分成5×7个敏感单元,其中每个敏感区表面设置40×40个硅尖阵列,芯片背面对应地形成光耦合阵列窗口.一个5×7矩阵的红外LED作为光源控制的耦合到芯片背面的阵列窗口.给出了LAPS阵列芯片的扫描电镜照片和多种生化参数的光寻址测试结果,分析讨论了芯片厚度、LAPS曲线线性度对系统性能的影响.     

微结构光寻址电位传感器阵列芯片的研制

详细介绍了采用MEMS技术研制的三维微结构LAPS阵列芯片 ,芯片表面划分成 5× 7个敏感单元 ,其中每个敏感区表面设置 4 0× 4 0个硅尖阵列 ,芯片背面对应地形成光耦合阵列窗口。一个 5× 7矩阵的红外LED作为光源控制的耦合到芯片背面的阵列窗口。给出了LAPS阵列芯片的扫描电镜照片和多种生化参数的光寻址测试结果 ,分析讨论了芯片厚度、LAPS曲线线性度对系统性能的影响     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

一种新型的光寻址电位传感器研究

依据光寻址电位传感器(LAPS)工作原理和光生载流子在硅片中扩散理论,提出了一种正面光照的LAPS新结构设计,在正面光照方式的测量池、插件式芯片和硅尖阵列芯片等方面具有创新性.新型LAPS的光电流信号比背面照射的提高了4倍;在检测标准缓冲溶液pH4.00、pH6.86、pH9.18的pH值时,线性相关系数0.9999,灵敏度为50.1mV/pH.重复检测pH9.18标准缓冲溶液四次的标准偏差和变异系数分别为0.57mV、0.048%.最后,分析讨论了三电极测量方法和新型LAPS结构特色、以及LAPS电解质电导对光电流的影响等.     

基于正面光激励的LAPS控制和测试系统的研究

光寻址电位传感器(LAPS)是一种用于进行生物化学多参数测量的传感器系统.介绍一种采用激励光源正面照射的电化学三电极测量的LAPS控制和测试系统.该系统采用新型的可替换式LAPS芯片和新型的流通池;巧妙地在光输入窗内表面引入网格状Pt薄膜,起着与芯片平行的辅助电极以及耦合阵列光源的光栅作用.实验结果表明正面光照的光电流是背面光照的4倍,文中还讨论了光电流回路阻抗对光电流的影响.