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1.
采用反应磁控溅射方法,在室温~550℃的沉积温度下,在Si(100)和玻璃基片上沉积了厚度在纳米量级的ZrO2薄膜.通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜和透射光谱分析,研究了沉积温度对ZrO2薄膜的相结构、表面形貌和折射率的影响.研究结果表明沉积温度低于250℃时,ZrO2薄膜的结构完全呈非晶态,但250℃沉积的薄膜有比较高的致密度;随着沉积温度的升高,薄膜出现了明显的结晶现象,主要为单斜ZrO2相;沉积温度为450℃时,ZrO2薄膜晶化不完全,在晶粒堆砌处有非晶ZrO2相存在;沉积温度为550℃时,ZrO2薄膜完全晶化,在晶粒堆砌处有四方ZrO2相存在.此外,根据薄膜相结构和表面形貌的研究结果,探讨了沉积温度对薄膜生长行为的影响及其物理机制. 相似文献
2.
3.
4.
采用Gleeble-3500 热/力模拟试验机,在变形温度为250—350 ℃、应变速率分别为0.001、0.01、0.1和1 s-1、真应变量分别为0.3、0.45、0.6的条件下,对Mg54Al22Li11Zn11Ti2轻质高熵合金进行热压缩实验。基于Arrhennius模型对热压缩实验数据进行拟合,建立合金的本构方程,并绘制该合金在不同真应变下的热加工图。结果表明:在实验条件下,合金的热变形过程为加工硬化和动态再结晶为主的动态软化,且该合金的流变应力值与应变速率呈正相关,与变形温度呈负相关;该合金的热加工图表明,最佳的热加工工艺参数为变形温度335—350 ℃、应变速率1×10-3—1 s-1。 相似文献
5.
分析免退火20CrMnMo盘条磷化成膜质量差原因,盘条氧化铁皮较薄不利于机械剥壳去除,残留的氧化铁皮和表层全脱碳组织影响磷化过程盘条表面pH值和金属离子浓度,不利于形成均匀的磷化膜。生产过程中进行坯料角部修磨,适当降低加热温度至1 060~1 080℃,严格控制加热炉内残氧量不大于2%,消除盘条表层全脱碳组织。通过提高终轧温度至850℃、吐丝温度至840℃后,使氧化铁皮厚度由6~10μm提高至14~20μm,氧化铁皮剥离性能改善明显。工艺优化后盘条磷化膜均匀致密,成品表面色差和粗糙度超标问题得到解决。 相似文献
6.
二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V、I V特性曲线。通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的α2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(<5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm。 相似文献
7.
采用脉冲激光沉积的方法, 利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶, 在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜. 利用X射线衍射(XRD)、电子探针、吸收光谱对薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成进行了定量分析, 研究了沉积过程中氧气压力对薄膜中Co含量的影响, 定量讨论了薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成与薄膜室温磁性之间的关系, 分析了薄膜磁性的起源. 分析结果表明: 薄膜中Co含量随氧气压力增大而减少, Co以替位Co2+离子为主. 精细XRD分析表明, 薄膜中存在纳米尺度的金属Co团簇, 其含量与薄膜室温磁性估计的结果一致, Zn1-xCoxO薄膜的室温磁性归因于金属Co纳米团簇的超顺磁磁化机制. 相似文献
8.
氧分压对磁控溅射ZnO薄膜生长行为和光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用反应射频磁控溅射方法, 在Si(001)基片上制备了具有高$c$轴择优取向的ZnO薄膜. 利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术, 研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响. 研究结果显示: 0.04~0.23Pa的氧分压范围内, ZnO薄膜存在三个不同的生长模式, 薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04~0.08Pa和0.16~0.19Pa之间; 在0.16Pa以下时, ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长; 当氧分压>0.19Pa时, 薄膜的表面岛以-c取向生长为主; ZnO薄膜的折射率、光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大, 氧分压为0.19Pa时, 薄膜的发光峰最窄, 其半峰宽为88meV. 相似文献
9.
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