复合助剂对低温常压烧结AIN性能的影响

研究了Y2O3,LiO2,CaO烧结助剂对AlN陶瓷常压烧结致密度和性能的影响。结果发现,同时添加Y2O3,LiO2,CaO作为助剂,在1600℃低温烧结就能获得具有高致密度、较小的晶粒尺寸(1μm~4μm)、较高的抗弯强度(331MPa)、断裂韧性(3.8MPa·m1/2)及导热率(118W·m-1·K-1)的AlN陶瓷。     

生物形态多孔氮化钛陶瓷的碳热氮化法制备

研究了以生物模板(木炭)浸渍TiO2溶胶,高温碳热-氮化制备TiN陶瓷的工艺过程.应用热力学原理计算了经溶胶浸渍后形成的TiO2/C复合体系的氮化条件,确定了N2,CO分压对氮化温度的影响.采用碳热氮化法,在高浓度的氮气压力下反应烧结制备了具有生物形貌的多孔TiN/C陶瓷.结果表明在1400℃,4 h,0.5 MPa氮气压力下,得到了具有立方晶体结构的TiN/C多孔陶瓷,并保留了木材模板的显微结构.     

不同pH值和F-浓度人工唾液对钛/瓷结合的影响

研究了不同pH值和F-浓度人工唾液对钛/瓷结合性能的影响.将实验室制备的钛瓷粉分层烧结于钛片上,浸泡于37℃,pH2.7、pH7.0/F-100 μg·mL-1与pH2.7/F-100 μg·mL-1的人工唾液中,测量了浸泡7d和30d试件的三点弯曲结合强度,应用扫描电镜观察了瓷剥脱后钛表面的形貌,并进行了EDX分析.结果显示:pH2.7/F-100 μg·mL-1组试件的钛/瓷结合强度明显低于未浸泡组,其余各组与未浸泡组相比无显著差异.研究结果提示:酸性环境中,F-的存在可使钛/瓷结合强度降低,而酸性环境和低浓度的F-环境对钛/瓷结合强度则没有明显影响,口腔内有钛瓷修复体的患者应慎用含氟口腔产品.     

原位反应合成TiN／Al2O3复合材料

以Al和TiO2为初始原料，经高能球磨及热压烧结工艺，原位合成了TiN／Al2O3复合材料。利用DTA，XRD及SEM等方法结合热力学计算，研究了该粉体的高能球磨过程和球磨粉体在后续热处理中的物相形成及转化规律。同时研究了以高能球磨及热压烧结工艺所制备的复合材料的力学性能和显微结构。结果表明：在球磨过程中粉料吸附并溶解了N2气，在后续热处理中原位反应形成了Ti2AlN相，当温度升高到一定程度时分解形成TiN，这有助于材料的致密化并使其力学性能提高。球磨粉体在1300℃、30MPa、保温、保压60min热压烧结条件下，可得到性能优异的TiN/Al2O3复合材料，该材料的抗弯强度为850MPa，断裂韧性为5．7MPa·m^1/2。     

反应粘接碳化硅材料接头的研究

用反应粘接的方法获得了反应烧结碳化硅材料之间、反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅材料间的连接。分析了反应粘接碳化硅材料接头的形成机理 ,分别在光学显微镜、扫描电镜下观察了连接区的显微组织和断口形貌 ,评价了反应粘接硅 /碳化硅材料接头的力学和电性能。研究结果表明 ,反应粘接可以使母材间形成良好的接合界面 ,连接层未对整体材料的强度和电阻率造成明显的影响。优化接合面的组织和成分是获得碳化硅材料优异连接性能的关键     

碳化硅材料及其应用研究进展

通过对碳化硅材料工业制备与应用、新技术发展及应用的综述,认为碳化硅材料是目前最具产业化前景的工程结构陶瓷,在国民经济和高技术领域具有重要的应用前景。应积极做好碳化硅材料的研制、开发与推广工作,加速形成我国自己的碳化硅材料产业。     

流延法制备短纤维增强玻璃陶瓷基复合材料

研究了短纤维增强玻璃陶瓷基复合材料制备工艺中的短纤维分散和单向纤维预浸片制备。结果表明: 在聚乙稀醇水溶液与乙二醇的混合分散介质中, 采用搅拌法可以得到短纤维的均匀分散, 分散介质的触变性对于均匀分散体系的获得与保持是十分必要的; 流延法有利于控制短纤维预浸片中纤维的取向。单向预浸片热压获得了高强韧性的复合材料试样。      

多孔氮化硅陶瓷的研究进展

综述了多孔氮化硅陶瓷材料的国内外研究现状和进展,介绍了多孔氮化硅陶瓷的主要制备方法,分析了微观组织对多孔氮化硅陶瓷力学性能的影响,并与其他多孔陶瓷进行了性能比较,最后展望了多孔氮化硅陶瓷的发展前景.     

加载速率对Csf／LAS复合材料断裂特性的影响

对短切碳纤维增强Li2O-Al2O3-SiO2玻璃陶瓷基复合材料（Csf/LAS）断裂特性进行了研究,结果：随加载速率增加,材料的断裂功γwof降低,而材料的抗弯强度先增加后降低,当加载速率为500MPa/s时,材料的抗弯强度最大,用扫描电镜观察,当加载速率较低时,有明显的纤维拔出,当加载速率高时,无明显的纤维拔出,纤维呈弯曲状。     

热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响

研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.