排序方式: 共有29条查询结果,搜索用时 140 毫秒
1.
氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。 相似文献
2.
3.
4.
随着企业集团财务管理信息化建设的逐步实施,企业集团的内部控制将面临新的问题,本文从信息系统和财务人员出发,提出了如何加强企业集团财务管理信息化的内部控制措施. 相似文献
5.
针对校企合作对学生的培养需求,结合半导体器件应用性和实用性强的特点,我校开展校企共建“半导体器件”课程活动.通过共建教学团队、共同制定课程标准、共同完善教学文件、共建教学资源、共同编写教材和共同进行考核评价等方面的建设,教学效果得到改善,教学质量得到提高,培养出了能够适应市场需求的高素质人才. 相似文献
6.
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。 相似文献
7.
8.
对机械剥离在SiO2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀,通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀,从而实现逐层刻蚀石墨烯。另外,氧等离子体轰击的过程在做了金属电极的石墨烯中引入金属颗粒等其它物质,这几方面的原因最终导致在氧等离子体刻蚀石墨烯的过程中石墨烯的两端电导呈现近似线性的减小,石墨烯出现n型掺杂效应。 相似文献
9.
基于开关型有源频率选择表面(AFSS)的波束可重构天线,通过电感性金属网栅表面平行和垂直两个方向周期嵌入PIN二极管电控微波开关,得到了一种多功能AFSS设计结构,该结构不仅能够实现通带开关功能,而且还能够实现极化分离功能。采用等效电路模型进行分析,并利用谱域法给出了每组PIN管不同偏置情况的FSS频率响应特性,结果表明:当两组二极管同时导通可在TE、TM极化时实现大于8GHz频段的全透射高通滤波功能,当两组二极管同时截止可在TE、TM极化时实现9.3GHz频点的全反射带阻滤波,而仅一组导通时在9.3GHz具有TE、TM极化分离器的功能。该结构可方便地调整偏置电压控制二极管通断,为复杂电磁环境... 相似文献
10.