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A superjunction (SJ) structure using a high-k (Hk) insulator is studied and optimized by using an analytic model. Results by using the proposed model match well with that of numerical calculations. Numerical calculation results show that, only needing an Hk insulator with a permittivity of εI=5εS, the optimum specific on-resistance of the MOSFET applying the proposed structure is about 8%-20% lower than that of the conventional SJ-MOSFET with VB=200-1000 V. An example with VB=400 V shows that, the permissible error range of doping concentration of the p-region to maintain above 80% of VB is from -37% to +32% for the former and is only from -13% to +13% for the latter. 相似文献
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建立了FSJ过程的热源模型,并利用有限元方法对7022铝合金FSJ过程中的温度场分布进行模拟,获得了7022铝合金FSJ过程的温度场分布云图。结果表明,连接缝方向各位置处节点的温度变化十分相似,均是当搅拌头行走到该位置的瞬间,热循环温度达到最大值,并随着搅拌头远离而迅速降低。前进侧温度高于后退侧,连接区域各位置节点峰值温度为491℃左右,未达到材料熔点。 相似文献
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对7022铝合金的不同温度退火试样进行干滑动摩擦磨损试验,用扫描电镜、显微硬度测试仪和三维形貌仪分析各试样的磨损机制.结果表明,退火温度对材料的显微硬度和摩擦磨损性能有明显影响,退火温度在200℃时,材料显微硬度和摩擦磨损性能最好,此温度下材料得到完全再结晶,且晶粒细化;摩擦磨损性能随着显微硬度的提高而减小.塑变磨损、磨粒磨损和疲劳磨损为7022铝合金的主要磨损机理. 相似文献
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基于HfO2的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快,易于小型化,抗干扰能力强等优势,在航天航空领域有广袤的发展空间。然而,FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/TiN铁电存储器在常温和高温环境下经5 MeV质子辐照后的电学特性和铁电畴结构变化。通过电学和压电响应力显微镜(PFM)手段表征发现,在常温质子辐照后,电容器的介电常数(εr)和剩余极化强度(Pr)值均增大,器件的铁电性能提升,常温高注量质子辐照有利于存储器在太空环境中工作,但随着辐照时环境温度升高,HZO存储器的铁电性能下降,漏电流增大,铁电存储器的各项性能明显退化。 相似文献
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掺硼金刚石厚膜电极污水处理实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在EACVD(electron-assisted hot filament chemical vapor deposition)金刚石膜沉积系统上制备出了掺硼金刚石厚膜电极,采用循环伏安法研究了掺硼金刚石厚膜电极和IrO2/Ta2O5钛涂层电极电化学性能的差别,结果表明掺硼金刚石厚膜电极具有比IrO2/Ta2O5钛涂层电极更宽的电势窗口(约3.4V)和更低的背景电流(接近于零).用所制备的掺硼金刚石厚膜电极和IrO2/Ta2O5钛涂层电极对比处理高浓度难降解污水,通过测定污水处理过程中化学需氧量(chemical oxygen demand,COD)的变化、观察污水处理过程中颜色的变化、处理前后两电极的SEM照片研究了掺硼金刚石厚膜电极在污水处理中的应用,试验表明掺硼金刚石厚膜电极比IrO2/Ta2O5钛涂层电极处理污水效率更高、处理高浓度难降解污染物的能力更强,电极更加稳定、耐腐蚀性更好,是一种很有应用前景的电极. 相似文献