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1.

Stability constants and formation enthalpies of supramolecular complexes of crown ethers and their cyclic and acyclic analogues are determined on the basis of experimental data obtained by different physicochemical methods in the terms of a general approach developed and implemented in the ChemEqui software package. The established regularities of variation of stability of complexes are discussed as dependent on the ligand structure, nature of the cation, solvent, and anion. The applicability of the suggested method of determining complexation selectivity is shown for multicomponent equilibria in solutions.

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To increase the efficiency of designing systems intended for monitoring surface cracks in aluminum structures during their working life, we have analyzed a two-dimensional symmetric problem on uniaxial extension of an Al-polyimide-Cu layered structure with ideal adhesion between layers and a model crack in the aluminum base. The problem has been first solved for a sample with the crack modeled by a zero-thickness notch using the ANSYS engineering simulation program package. It is shown that this setting of the problem can lead to inadequate results as manifested, in particular, by significantly overstated mechanical stresses in aluminum in the region of crack emergence on the surface. In order to eliminate this difficulty, we propose to use the structure with a model defect in the form of a notch of nonzero thickness in the initial unstressed state of the structure. Recommendations for selecting the thickness of a notch used in the model structure are given.

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Food Analytical Methods - The habanero pepper (Capsicum chinense Jacq.) is very aromatic and is the hottest pepper in the world. In this study, a headspace solid-phase microextraction/gas...  相似文献   
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9.
Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
10.
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