首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6461篇
  免费   429篇
  国内免费   249篇
电工技术   326篇
综合类   351篇
化学工业   1093篇
金属工艺   377篇
机械仪表   299篇
建筑科学   467篇
矿业工程   125篇
能源动力   221篇
轻工业   389篇
水利工程   84篇
石油天然气   255篇
武器工业   37篇
无线电   668篇
一般工业技术   909篇
冶金工业   710篇
原子能技术   76篇
自动化技术   752篇
  2024年   21篇
  2023年   88篇
  2022年   139篇
  2021年   223篇
  2020年   183篇
  2019年   171篇
  2018年   144篇
  2017年   171篇
  2016年   168篇
  2015年   168篇
  2014年   252篇
  2013年   349篇
  2012年   314篇
  2011年   396篇
  2010年   320篇
  2009年   307篇
  2008年   338篇
  2007年   313篇
  2006年   344篇
  2005年   309篇
  2004年   207篇
  2003年   213篇
  2002年   169篇
  2001年   167篇
  2000年   138篇
  1999年   202篇
  1998年   267篇
  1997年   182篇
  1996年   171篇
  1995年   129篇
  1994年   105篇
  1993年   93篇
  1992年   53篇
  1991年   52篇
  1990年   37篇
  1989年   35篇
  1988年   32篇
  1987年   24篇
  1986年   30篇
  1985年   10篇
  1984年   6篇
  1983年   10篇
  1982年   7篇
  1981年   9篇
  1980年   5篇
  1979年   6篇
  1978年   6篇
  1977年   10篇
  1976年   25篇
  1975年   7篇
排序方式: 共有7139条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
网络安全事件的关联分析方法的比较研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
随着当前攻击手段和技术的日益复杂化,一次入侵事件往往需要多个步骤才能完成,这些步骤都是彼此相关的。但是传统的入侵检测集中于检测底层的入侵或异常,所检测到的结果也仅仅是一次完整入侵的一部分,所以不能将不同的报警结合起来以发现入侵的逻辑步骤或者入侵背后的攻击策略。关联分析技术将不同分析器上产生的报警进行融合与关联分析,极大地减少了报警的数量,降低了入侵检测的误报率,并且适当的减少了入侵检测的漏报率。文中在对网络安全事件关联分析方法的系统结构进行分析后,着重介绍了当前比较流行的几种网络安全事件关联分析方法,最后对各种方法进行了比较研究。  相似文献   
2.
Conducting poly(aniline‐co‐o‐anisidine) (PAS) films with different ratios of aniline units in the polymer chain were prepared by oxidative polymerization of different molar ratios of aniline and o‐anisidine in 1 M HCl using cyclic voltammetry. Due to the much higher reactivity of o‐anisidine, the structure and properties of PASs were found to be dominated by the o‐anisidine units. The polymerization of poly‐o‐anisidine and PASs followed zero‐order kinetics with respect to formation of the polymer (film thickness) and the autocatalytic polymerization of aniline was completely inhibited. In contrast to polyaniline, a decrease in the polymerization temperature was found to increase the amount of copolymer formed and its redox charge. The presence of aniline units in PASs led to a pronounced increase in the molecular weight and conductivity, and a decrease in the solubility in organic solvents. Repetitive charging/discharging cycles showed that PASs resist degradation more than polyaniline. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry  相似文献   
3.
涂君俊 《焊管》2002,25(5):44-45
针对大口径螺旋焊管内涂层涂敷作业时,钢管内残留的涂料挥发份如何清除的问题,介绍了一种自行设计制造的内涂层涂敷挥发份吹除装置。  相似文献   
4.
许多含双膦酸结构单元的化合物都显示了良好的除草活性,本文对这类化合物的结构特点、生物活性以及相关的研究动态进行了归纳和概述。  相似文献   
5.
It is experimentally ascertained that light stimulates the negative magnetoresistance observed in a high electric field in silicon doped with boron and manganese. The optimum conditions (the electric field, temperature, illumination, and resistivity of the material) for observation of the largest magnitude of negative magnetoresistance in (Si:B):Mn are determined. The dependence of the negative magnetoresistance on the concentration of compensating impurity is established.  相似文献   
6.
Stress analysis of spontaneous Sn whisker growth   总被引:5,自引:0,他引:5  
Spontaneous Sn whisker growth is a surface relief phenomenon of creep, driven by a compressive stress gradient. No externally applied stress is required for the growth, and the compressive stress is generated within, from the chemical reaction between Sn and Cu to form the intermetallic compound Cu6Sn5 at room temperature. To obtain the compressive stress gradient, a break of the protective oxide on the Sn surface is required because the free surface of the break is stress-free. Thus, spontaneous Sn whisker growth is unique that stress relaxation accompanies stress generation. One of the whisker challenging issues in understanding and in finding effective methods to prevent spontaneous Sn whisker growth is to develop accelerated tests of whisker growth. Use of electromigration on short Sn stripes can facilitate this. The stress distribution around the vicinity and the root of a whisker can be obtained by using the micro-beam X-ray diffraction utilizing synchrotron radiation. A discussion of how to prevent spontaneous Sn whisker growth by blocking both stress generation and stress relaxation is given.  相似文献   
7.
LEC GaAs晶片经高温退火后,残余应力得以部分释放;从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa。  相似文献   
8.
涤纶复合丝(POY+DTY)的研发   总被引:1,自引:0,他引:1  
DTY和POY网络复合丝是以聚酯直纺生产的两种不同规格的POY丝为原料,通过对加弹机进行适当改造,利用不同的加工路线,使一股POY丝经过加捻后形成DTY,再与另一股POY丝网络合股形成包芯复合丝.该复合丝利用POY丝和DTY丝的收缩差异和染色差异等不同风格特性,使得布面形成一种具有雪花状的色丁效果.该复合丝属于差别化纤维,是国家鼓励发展的项目,它具有优良的吸湿排汗性能和弹性保暖性能,是保暖内衣的首选面料,市场前景广阔.  相似文献   
9.
A unidirectional three-phase switch-mode rectifier that delivers sinusoidal input currents in phase with the corresponding input phase voltages is proposed and analyzed in this paper. In the proposed topology, three AC switches are placed before the bridge rectifier and, respectively, across two power lines. A simple control scheme combing space-vector modulation and hysteresis current control is presented. Sinusoidal input line currents are observed in experimental results  相似文献   
10.
The pre- and postnatal findings of a fetus with a de novo del(13)(pter-->q21:) and an occipital encephalocoele are described. Maternal serum alpha-fetoprotein (AFP) screening at 19 weeks' gestation demonstrated a high level of 2.5 multiples of the median (MOM) and ultrasonography at 27 weeks' gestation showed severe intrauterine growth retardation, cardiomegaly, an occipital encephalocoele, and a calvarial defect. Genetic amniocentesis revealed a karyotype of 46,XX,del(13)(pter-->q21:). The proband postnatally displayed additional abnormalities such as microphthalmia, hypertelorism, large low-set ears, and micrognathia. We discuss the association of central nervous system (CNS) malformations with 13q deletions and emphasize that pregnancies with neural tube defects warrant cytogenetic analysis, especially when additional fetal abnormalities and neonatal dysmorphism are observed.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号