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I. M. Kosareva M. K. Savushkina S. A. Kabakchi S. V. Korotkevich V. M. Kudryavtsev 《Atomic Energy》2006,100(2):83-89
The concepts of specific and absolute toxicity permit distinguishing in radioactive wastes belonging to different categories
the particular components that present the greatest ecological danger at different stages of their disposal in repositories.
It is shown that transuranium elements determine the toxicity parameter of high-and medium-level wastes only 350–400 years
after initial disposal. At the present stage of operation of deep repositories, the behavior of the long-lived fission products
of 90Sr and 137Cs is most important. For low-level wastes, the chemical and not the radioactive component is most dangerous.
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Translated from Atomnaya énergiya,Vol. 100, No. 2, pp. 86–92, February, 2006. 相似文献
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V. P. Kuznetsov D. Yu. Remizov V. B. Shmagin K. E. Kudryavtsev V. N. Shabanov S. V. Obolensky O. V. Belova M. V. Kuznetsov A. V. Kornaukhov B. A. Andreev Z. F. Krasil’nik 《Semiconductors》2007,41(11):1312-1314
Results of experimental studies of erbium ion electroluminescence in p ++/n +/n-Si:Er/n ++ silicon diode structures grown by sublimation molecular-beam epitaxy are discussed. The distinctive feature of these structures is that the regions of electron flux formation of (n +-Si) and impact excitation of erbium ions (n-Si:Er) are spaced. The influence of the n +-Si layer thickness on electrical and electroluminescent properties of diodes was studied. It was shown that n +-Si layer thinning causes the transformation of the structure breakdown mechanism from tunneling to avalanche. The dependence of the Er3+ ion electroluminescence on the thickness of the heavily doped n +-Si region is bell-shaped. At the n +-Si-layer doping level n ≈ 2 × 1018 cm?3, the maximum electroluminescence intensity is attained at an n +-Si layer thickness of ~23 nm. 相似文献
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