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Li D. You-Song Gu Xiang-Rong Chang Fu-Shen Li Li-Jie Qiao Zhong-Zhuo Tian Fang G.-D. Qing-Shan Song 《IEEE transactions on magnetics》2003,39(6):3554-3558
We deposited Fe-Ti-N magnetic films with a high sputtering power of 7 W/cm/sup 2/. When the composition of the films was in the range of Fe-Ti(3.9 at.%)-N(8.8 at.%) to Fe-Ti(3.3 at.%)-N(13.5 at.%), the films were composed of /spl alpha/' and Ti/sub 2/N precipitates. With the addition of nitrogen, 4/spl pi/M/sub s/ became higher than that of pure iron, reaching a maximum of 23.8 kG. At the same time, H/sub c/ was reduced to a minimum of 1.12 Oe. The best films can meet the needs of the recording head in dual-element giant magnetoresistive/inductive heads, yielding high storage density (10 Gb/in/sup 2/). The incorporation of N in /spl alpha/-Fe brought about the /spl alpha/' phase with its higher saturation magnetization. Ti additions inhibited the equilibrium decomposition /spl alpha/'/spl rarr//spl alpha/+/spl gamma/'. Because H/sub C//sup D//spl prop/D/sup 6/, where D is average grain diameter, grain size control is very important. The nitrogen induces severe distortion of the /spl alpha/' lattice, which can cause the grains to break into pieces and reduce the grain size. High sputtering power also led to the formation of fine grains, with diameter in the order of 14 nm. Probably Ti/sub 2/N is preferentially precipitated on the grain boundary, pinning the grain boundary and stabilizing the grain size during high-temperature heat treatment. The temperature limit for stability of the structure and its associated low coercivity was not less than 520/spl deg/C. 相似文献
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IP网络实施QoS的策略分析 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了衡量IP QoS的技术指标和业务等级的划分,提出了IP网络中QoS的实施建议。 相似文献
6.
由于干态聚合物电解质目前还不能满足聚合物锂离子电池的应用要求,人们致力于开发含液体增塑剂的聚合物电解质,包括凝胶型和微孔型两类体系。本文综述了含液聚合物电解质的最新进展,重点论述了各种新体系和新方法。 相似文献
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甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景 总被引:5,自引:0,他引:5
综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展,特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式;还根据甲烷芳构化技术产业化的需要,分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。 相似文献
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通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃-陶瓷动态疲劳(恒应力速率)试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析,发现这种现象与材料的阻力特性(R-curve)密切相关。确立的σ_f-σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_f-σ在双对数坐标下为负斜率直线,直线斜率为(m为阻力曲线KR=k(△a)~m的指数),断裂主要由材料阻力行为控制;低应力速率区,σ_f-σ在双对数坐标下为正斜率直线,直线斜率为 (n为应力腐蚀指数),断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法,分别用这种方法及压痕/弯曲方法对一种可切削玻璃-陶瓷的阻力特性进行了实验测定,两种方法所得结果有很好的一致性。 相似文献
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Low temperature wafer direct bonding 总被引:11,自引:0,他引:11
Qin-Yi Tong Cha G. Gafiteanu R. Gosele U. 《Journal of microelectromechanical systems》1994,3(1):29-35
A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO2, and SiO2/SiO 2 wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed 相似文献