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本文研究Si~+室温深注入(150~160keV,1~3×10~15/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜界面附近结晶质量和Si~+室温浅注入(85keV,3×10~(15)/cm~2)SOS中600+1050℃两步退火固相外延再生长改善SOS膜表面结晶质量的工艺.180keVH~+沟道效应—背散射测量表明,两步Si~+注入和两步退火团相外延再生长工艺能够有效地改善SOS膜结晶质量°表面归一化最小产额x_o、界面最小产额x_i 和退道率dx/dz分别减小到0.06、0.12和0.19/μm. 相似文献
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在真空系统中利用加速器把电离的阳离子加速后,打入金属材料的表层内,以改变材料表面的物理化学性能的离子注入新技术,在材料科学研究中具有广阔的前途。国际上对金属表面离子注入的研究十分活跃,连续召开过“离子束材料改性”及“离子束分析”国际学术会议。离子注入的优点在于对任何元素的离子都可以利用注入技术,不受合金系统平衡相图的限制;可以获得其它常规方法无法制备的新型合金;注入层与基体材料之间无界面存在;注入后金属表面的光洁度和尺寸精度不变;注入的能量和剂量可以精确控制。离子注入使材料表面改性,包括化学改性,物理 相似文献
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掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc. 相似文献
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本文介绍利用国产200KeV离子注入机,能量60~100KeV,剂量(2~8)×10~(17)/cm~2的氮离子注入,提高金属材料耐磨性的研究结果。YW_1硬质合金车刀,经离子注入后比没有注入的磨损减少一半,YG8钢丝拉丝模和YG3铜线扭丝模离子注入后的使用寿命分别提高2.2倍和2.4倍。利用X射线衍射仪,X射线应力分析仪,离子探针,扫描电镜等对离子注入后的金属表面分析结果表明:离子注入使金属表面晶格产生畸变,使金属表面产生应变硬化,注入杂质原子与位错交互作用,使位错被钉扎,位错运动受到阻碍,在磨损过程中,注入氮原子不断向内部推移,从而提高了材料的耐磨性。 相似文献
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对小泡径石榴石磁泡材料进行了~(57)Fe的内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)的研究。样品的名义成份是(YLu Bi)_3(FeGa)_3O_(12)。注入100keV Ne~ ,剂量D为5×10~(13)~1×10~(14)Ne~ /cm~2时出现△m=0的2、5峰,表明表层磁化强度矢量M_s倾向膜面,发现此时离子注入造成的应力感生的磁平面各向异性不一定很大。D=2×10~(14)Ne~ /cm~2时,仅得顺磁谱,但a、d晶位可辨。D≥7×10~(13)Ne~ /cm~2时,硬泡被抑制。用磁不等效晶位的概念唯象地解 相似文献
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