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利用2×6 MV串列静电加速器提供的1~10 MeV质子,开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量,研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统,建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试验方法,分析了质子注量、质子能量、器件偏置等对器件电荷转移效率和暗电流的影响。模拟试验结果表明,电荷转移效率随辐照质子注量的增加而下降,暗电流随辐照质子注量的增加而增大,在1~10 MeV质子能量范围内,质子能量越低,电荷转移效率的降低与暗电流的增加越显著。 相似文献
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介绍了一个可引出H、O、F等负离子的永磁边引出PIG源。在15kV引出电压下,可获得O^-离子130μA,F^-,离子75μA,功率消耗分别约为110、280W。 相似文献
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在不引入铯蒸汽的情况下,对袖珍型永磁冷阴极潘宁离子源通过固体表面溅射的方式,直接引出氯、溴等元素的负离子进行了初步研究。利用该源,在气耗量小于20cm3/h、弧功率约50W的情况下,除了从放电气体中直接引出相关元素的负离子外,分别以NaCl、NaBr、NaF为阴极靶材,通过表面溅射,在传输效率为15%时,得到相应元素的负离子分析束F-60μA、Cl-68μA、Br-39μA。实验中观测到,不同的辅助工作气体对固体表面溅射形成负离子的产额有一定的影响。 相似文献
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介绍了永磁端引出溅射PIG离子源的进展状况,通常它可用于引出气体的与金属的单或多电荷离子,在20-30kV的引出电压下,可引出mA级的气体离子和数十微安的金属离子,功耗小于50W。同时也可用于直接引出某些电子亲合势料强的气体元素,如,H,O,F等的负离子。 相似文献
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质子单粒子效应实验研究和质子加速器研究中,质子束流强测量关系着实验结果的可靠性和准确性。法拉第筒、金硅面垒探测器、金刚石探测器等传统探测方法均为拦截式测量,无法实现束流的在线测量。本文用闪烁体薄膜在线监测质子束流强。质子束流穿过薄膜闪烁体,沉积部分能量使其发光,用光电倍增管收集光信号,从而得到束流的强度信息。通过质子与闪烁体材料相互作用的理论计算得到闪烁体材料对质子束流的响应关系。在北大2×6 MeV串列加速器上对3–10 MeV的质子束流进行了实验测量,验证了其响应关系。 相似文献
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