工作压强对SiC空心微球结构及性能的影响

采用化学气相沉积（CVD）-高温热解法,在不同工作压强条件下,制备了惯性约束聚变靶用SiC空心微球。利用X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜、白光干涉仪、X射线照相机对SiC空心微球的成分、表面形貌、表面粗糙度、球形度以及壁厚均匀性进行了测试与分析。研究结果表明：随工作压强的增加,SiC空心微球的表面均方根粗糙度先减小后增加,当工作压强为15 Pa时,表面均方根粗糙度达到最小值98 nm;随工作压强的增加,SiC空心微球的球形度未发生明显变化,且均优于97%;而壁厚均匀性则随工作压强的增加先增加后减小,当压强为15 Pa时,壁厚均匀性可达95%。     

磁控溅射法制备金/钆柱腔工艺研究

采用直流磁控溅射方法制备金/钆(Au/Gd)多层膜,并研究不同制备参数对多层膜结构与性能的影响。溅射压强高于1Pa时,Au膜与Gd膜的沉积速率均随溅射压强的增大而下降;在较低溅射气压下,随着溅射气压的降低,金膜与钆膜的均方根粗糙度有所减小;随着溅射功率的减小,金/钆多层膜的周期性结构变好,界面更为清晰。本工作制备了不同原子比的金/钆膜柱腔,探讨了有关柱腔成型的解决方法。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

磁控溅射制备成分渐变Au/Cu复合涂层的研究

在JGP560型高真空多功能磁控溅射设备上,利用直流磁控溅射法,通过控制共溅射时Au靶和Cu靶的功率变化,在平面基片和微球表面制备了一系列成分渐变的Au/Cu涂层,并用扫描电子显微镜和能量色散X射线荧光光谱仪对涂层的微观结构和成分进行了测试分析。分析结果表明：涂层内部的晶粒生长随Au和Cu含量的变化呈现出3个不同的区域;涂层中Au和Cu含量随涂层厚度的增加呈近线性变化的趋势;涂层内部晶粒之间结合紧密;涂层厚度均匀性良好,表面光洁。     

膜层厚度对CuPc/ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数 ,本文研究了CuPc ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构 ,利用表面电位衰减仪、紫外 -可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响     

不同氧氩比例对氧化硅(SiO2)薄膜的结构及性能的影响

在不同氧氩比例气氛下,采用反应直流磁控溅射方法制备了SiO2薄膜.利用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）和紫外可见光谱（UV-Visible spectrum）等研究了氧氩比例的不同对SiO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响.结果显示：室温下,不同氧氩比例的SiO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的增加,Si2p与O1s向高结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,SiO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400-1100nm有良好的光透过性.     

反式二丁烯与氢气流量比对辉光放电等离子体组分与聚合物薄膜表面粗糙度的影响

采用低压等离子体增强化学气相沉积方法（LPPE-CVD）,以反式二丁烯（T₂B）和氢气（H₂）为工作气体,改变T₂B/H₂流量比制备不同条件下的碳氢聚合物（GDP）薄膜。利用质谱诊断技术研究了工作气体流量比对薄膜沉积过程中等离子体组分及离化程度的影响规律。同时结合白光干涉和SEM等技术研究了GDP薄膜的表面粗糙度和表面形貌的变化规律。结果表明,随T₂B/H₂流量比的增加,反应腔室中等离子体的离化率呈现先增大后减小的趋势。当T₂B/H₂流量比为0.8∶10时,反应气体的裂解程度最大,等离子体中离子片段的总量也最多。薄膜的表面粗糙度随T₂B/H₂流量比的增加出现先减小后增大的趋势。在0.6∶10的T₂B/H₂流量比条件下,薄膜的均方根粗糙度R_q达到极小值39.1 nm。     

沉积参数对ICF靶丸辉光放电聚合物烧蚀涂层红外特性的影响

采用低压等离子体聚合装置,在溴化钾单晶盐片上制备了气压、功率、反式二丁烯（T₂B）与氢气流量比3个沉积参数系列的辉光放电聚合物（GDP）涂层。对3个系列涂层各自的红外光谱进行比较分析,结合高斯拟合,定量地讨论涂层内部SP³(CH_x)与SP²(CH_x)键的相对含量的变化规律,且探讨了各系列沉积参数对气体分子在等离子体发生区的离解效率和沉积过程活性粒子与涂层新生表面及亚表面相互作用的影响。结果表明,在低气压、较高功率和低流量比参数下,GDP涂层内SP³(CH₃)和氢元素的含量相对较低,SP₂(CH₂)和碳元素的含量相对较高。     

间歇跳动法制备微球α-C:H涂层

采用低压等离子体化学气相沉积方法,以反式二丁烯和氢气作为工作气体,利用间歇跳动模式,在直径为(280±50) μm的聚乙烯醇 聚苯乙烯（PVA PS）双层球表面制备出了30 μm 厚α C:H涂层。利用原子力显微镜（AFM）、干涉显微镜和X光照相技术分别对涂层表面形貌、球形度和同心度进行表征,结果表明：当涂层厚度为30 μm时,表面均方根粗糙度低于30 nm;球形度与同心度均优于99%。利用热重分析和傅里叶变换红外光谱仪对其热稳定性和价键结构进行表征,结果表明,α C:H涂层主要存在sp3  C—H键,在280 ℃以下,结构成分非常稳定,达到450 ℃后,则完全石墨化。     

CdS薄膜的光学及其电学性能的研究

本论文研究了真空热蒸发制备的不同衬底温度下CdS薄膜的光学及电学性能.重点讨论了不同衬底温度下CdS薄膜的光透过性能、光学带隙及其和薄膜结构的关系.研究了CdS薄膜因高度定向生长而出现的薄膜平面与截面电阻率的差别.进一步阐释了CdS作为理想的光电材料所具有的良好光敏性,探讨了CdS薄膜的这些电学性能随衬底温度的变化规律及其与薄膜结构的关系.