振荡型De-Qing电路设计方法

振荡型De-Qing电路具有突出的优点,得到了日益广泛的使用,但无完整的设计方法。本文通过定量分析,得到确定网络参数的简单公式及图表,提供了简单易行的设计方法。设计实践及实验验证表明设计方法是简便可靠的。     

12MeV电子辐照在硅器件中的应用

在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速     

小型电子直线加速器脉冲调制器输出电路的拓扑结构

在小型电子直线加速器中使用各种脉冲调制器输出电路拓扑结构以适应不同的调制器负载要求。对不同的拓扑所遇到的一些共同性问题进行了详尽的叙述与讨论。     

采用高能电子束辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

应用最佳能量为１２ＭｅＶ的电子束对大功率开关晶体管进行了辐照。结果表明,经电子束辐照的开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。     

10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。     

关于de—Qing电路失灵保护

一、引言在电子直线加速器领域,基于能量稳定性的考虑,在雷达领域,由于信号稳定度要求,它们的功率脉冲发生器普遍采用脉间稳幅电路。而在电子直线加速器范围内,几乎无例外地采用de-Qing电路作为脉间稳幅手段。实践表明,任何电路都有失误的可能,而在高压高功率