Preparation of flee-standing diamond films for high frequency SAW devices

Free-standing diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition （HFCVD） method under different conditions. Inter-digital transducers （IDTs） were formed on the nucleation sides of free-standing diamond films by photolithography technique. Then piezoelectric ZnO films were deposited by radio-frequency（RF） reactive magnetron sputtering to obtain the ZnO/diamond film structures. Surface morphologies of the nucleation sides and the IDTs were characterized by means of scanning electron microscopy （SEM）, atomic force microscope （AFM） and optical microscopy. The results indicate that the surfaces of nucleation sides are very smooth and the IDTs are of high quality without discontinuity and short circuit phenomenon. Raman spectra show the sharp diamond feature peak at about 1 334 cmI and the small amount of non-diamond carbon in the nucleation side. X-ray diffraction （XRD） patterns of the structure of ZnO/diamond films show a strong diffraction peak of ZnO （002）, which indicates that as-sputtered ZnO films are highly c-axis oriented.     

大豆蛋白酶解产物降胆固醇活性的初步研究

研究了用AS1.398和Alcalase两种蛋白酶制备的水解度为10%～24%的大豆蛋白酶解产物的降胆固醇活性.结果表明:用Alcalase酶水解大豆蛋白,水解度为18%的产物降胆固醇活性最高,添加量为5 mg/mL时,对胆固醇胶束溶解度的抑制率为48.39%,动物实验表明该产品在灌喂剂量大于1 g/(kg·d)时,对喂饲高脂饲料小鼠的血清总胆固醇降低作用比较显著(P＜0.025),30 d后降低幅度可达30%以上.     

熔融盐对氧化锆纳米片合成的影响EI北大核心CSCD

以四氯化锆为锆源,乙醇为溶剂,采用溶剂热辅助熔盐法低温煅烧制备氧化锆纳米片。研究并讨论了熔盐种类和用量对氧化锆晶体生长和形貌的影响。结果表明:以NaCl和Na3PO4的混合物为熔盐,且m(前驱体):m(NaCl):m(Na3PO4)=10:10:1时,可以得到平均边长超过1.8μm,厚约70 nm,宽厚比大于10:1的单斜氧化锆纳米片。纳米片为单晶结构,无明显缺陷,主要暴露面为(001)晶面,其在熔盐中的形成符合自聚焦机理,包括溶解、扩散、吸附和生长过程,(001)面主导的氧化锆纳米片与表面能的理论计算结果吻合。     

镀膜工艺对溶胶-凝胶法制备钛酸铝薄膜的影响

采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)为前驱体,乙醇为溶剂,利用硝酸铝中所含的结晶水代替水解反应所需的外加水,在莫来石基片上制备钛酸铝薄膜.借助偏光显微镜、SEM和XRD研究了提拉速度、浸渍时间和镀膜次数等镀膜工艺参数对镀膜效果的影响.研究结果表明:采用浸渍-提拉法,浸渍提拉速度为1mm/s、每次浸渍时间为30s,经过3次镀膜可以在莫来石基片上制备出均匀、致密、高质量的钛酸铝薄膜.     

非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须

以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。     

大豆生理活性肽的研究(Ⅱ)--抗氧化性和ACE抑制活性的初步研究

采用AS1.398和Alcalase两种蛋白酶,制备了水解度为10%～24%的大豆多肽,对其抗氧化性、ACE抑制活性和相对分子质量的分布进行了研究,结果表明采用AS1.398酶水解的DH为12%的产品抗氧化活性最高,添加量为6 mg/mL时使亚油酸的氧化诱导期延长2.92倍,其相对分子质量分布在1 000以上的组分较多;采用Alcalase酶水解的DH为14%的大豆多肽产品,ACE抑制活性最高,IC50为0.144 mg/mL,其相对分子质量分布大多在200～600之间.     

纳米金刚石薄膜的光学性能研究

用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.     

工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响

采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．     

CVD金刚石膜紫外光探测器

宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性，基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作，成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。     

EA-HFCVD 沉积纳米金刚石膜的光致发光分析

采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。