硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

利用机械注浆封孔提高瓦斯抽放率的试验

南桐矿务局鱼田堡煤矿是我国高突矿井之一，开采保护层、抽放主采煤层卸压瓦斯一直是我矿煤层开采的主要防突措施。长期以来，我矿瓦斯抽放钻孔一直采用黄泥、水泥团人工封孔，这种封孔方法不仅工艺复杂，劳动强度大，而且往往因封孔质量不佳造成抽放系统负压低、电耗大，...     

等离子增强化学汽相淀积SiC_x:H和SiN_xC_y:H薄膜的特点

<正> 一、引言 碳化硅具有优异的物理、化学稳定性,高的击穿电场和饱和电子迁移率等特性,因此被广泛用作温敏器件、集成电路表面钝化材料。 随着超大规模集成电路技术的发展,三元化合物薄膜的开发得到了重视,如氮氧化硅薄膜作为抗钠离子和抗潮湿的最后保护层,双层技术的中间层,已用于制造VLSI。氮碳化钛(TiC_xN_y)薄膜被用于保护涂层等。笔者在研究碳化硅、氮化硅薄膜的基础上,开展了碳氮化硅薄膜材料的研究。选择等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备碳化硅,碳氮化硅薄膜。     

电子能谱二氧化硅标准物质的研制

本文主要阐述了标准物质SiO_2的制备与研究以及用AES测定其界面宽度时的各种影响因素。文献综述了三种界面宽度的计算方法和修正因子,并指出了各自的优缺点。     

PECVD SiC薄膜的AES研究

本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。     

丹江口水库翘嘴红鲌网箱养殖试验总结

翘嘴红鲌(Erythroculter ilishaeformis)是丹江口水库的肉食性名贵鱼类，肉质鲜嫩深受消费喜爱，由于捕捞强度及其他因素影响，天然资源日趋减少。而市场需求越来越旺。2000年至2001年我们进行了翘嘴红鲌的网箱养殖试验，规格5～7cm的野生苗种两年养到1000g以上，取得了较好的经济效益。     

等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.     

HI-13串列加速器加速管技术改造

HI-13串列加速器加速管技术改造已经完成。用1根243．8cm和7根223．5cm的加速管替代了已使用16年之久的8根182．9cm加速管。为配合新加速管的安装，对加速器的主体布局进行了调整，对加速器的死区结构、充电系统、电阻分压系统进行了改造，重新设计制作了加速管入口栅网透镜及供电和控制系统，研制了新的输电梯死区惰轮。改造后的加速器头部电压达15．07MV。