CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１－２２ｎｍＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热－失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ），透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征，实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ２晶粒的生长，以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化。     

溅射沉积Cu膜生长的Monte Carlo模拟

在本文中,我们建立了一个较完整的基于动力学晶格蒙特卡罗方法的模拟薄膜生长的三维模型,利用该模型我们研究了溅射沉积条件下粒子的沉积角度、沉积速率以及入射能量对Cu膜生长的影响.模拟结果表明Cu膜表面粗糙度会随沉积角度和沉积速率的增大而增大,而相对密度随之减小.模拟的薄膜的三维形貌显示,在薄膜的表面存在着柱状结构,这与实验是相符的.     

Pr和V掺杂的Bi4Ti3O12铁电陶瓷的微结构及电性能

采用传统固相烧结法制备了Pr6O11和V2O5共同掺杂的Bi4Ti3O12铁电陶瓷。XRD分析表明,Pr6O11和少量V2O5的掺杂没有引起材料结构的改变。适当比例Pr6O11的掺杂会使材料的铁电性能有明显的改善,但其电输运特性明显不同于3价稀土离子的掺杂。实验表明,钒掺杂对材料铁电性能的影响主要体现在低电场下,不能简单地以氧空位的变化来解释。配比为Bi3.08Pr0.75Ti2.98V0.02O12的样品的电学性能稳定并且具有较大的剩余极化。     

Kinetic Monte Carlo Simulation of Deposition of Co Thin Film on Cu（001）

A kinetic Monte Carlo （kMC） simulation is conducted to study the growth of ultrathin film of Co on Cu（001） surface. The many-body, tight-binding potential model is used in the simulation to represent the interatomic potential. The film morphology of heteroepitaxial Co film on a Cu（001） substrate at the transient and final state conditions with various incident energies is simulated. The Co covered area and the thickness of the film growth of the first two layers are investigated. The simulation results show that the incident energy influences the film growth and structure. There exists a transition energy where the interracial roughness is minimum. There are some void regions in the film in the final state, because of the influence of the island growth in the first few layers. In addition, there are deviations from ideal layer-by-layer growth at a coverage from 0 - 2 monolayers （ML）.     

气敏薄膜传感器SnO2：Sb的制备及性能研究

利用等离子体化学气相沉积制备了ＳｎＯ２∶Ｓｂ导电薄膜。研究了膜电阻与沉积温度、电极间距及掺杂浓度间依存关系和薄膜阻温特性。测试了薄膜对ＮＯ２气体的气敏性,并进行了理论分析。     

单相Bi0.95Eu0.05Fe0.95Co0.05O3纳米颗粒的结构及其铁磁特性

采用溶胶-凝胶法制备了单相Bi0.95 Eu0.05Fe0.95 Co0.05 O3纳米粉末。用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测量分析了其结构和形貌,结果表明样品仍为钙钛矿菱方结构。样品Fe2p的X射线吸收谱(XAS)表明样品中Fe的价态处于Fe2+和Fe3+的混合态。利用振动样品磁强计(VSM)测量样品的磁性特征,结果表明样品具有完整闭合的磁滞回线,表现出室温的铁磁性,相比BiFeO3样品磁性得到明显增强。     

石墨烯负载Pt-Co纳米粒子及其在氧化还原反应中的应用

采用微波-乙二醇方法还原氧化石墨烯和Pt(v)、Co(Ⅱ)粒子混合物,再经300℃H2还原,制备了石墨烯负载Pt-Co合金催化剂(Pt-Co/G).利用透射电镜、X-射线能谱、X-射线衍射和光电子能谱对所制催化剂进行表征.Pt-Co合金的粒径为3nm～8 nm,均匀地分散在石墨烯片上.与单金属的Pt/G和商品化的Pt/C催化剂相比,所制合金化的Pt-Co/G催化剂对氧还原反应展现出高的催化活性和可比拟的稳定性,显示了其在燃料电池中的应用潜力.     

络合物对制备纯相BiFeO_3纳米晶的影响

采用溶胶-凝胶法用聚乙烯醇(PVA)和酒石酸两种不同络合物制备了BiFeO3纳米晶。通过优化两种络合物的制备工艺,在400℃的低温下以酒石酸作络合物时,得到了纯相的BiFeO3纳米晶。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测量分析了样品结构和形貌,研究了溶胶-凝胶制备工艺和不同络合物对BiFeO3纳米晶的形成及晶体结构的影响。     

多铁性材料Bi0.95R0.05(Fe0.95Mn0.05)O3(R=La,Pb)的磁性及局域结构研究

利用溶胶-凝胶法成功制备了共掺杂Bi0.95R0.05(Fe0.95 Mn0.05)O3(R=La,Pb)样品,并对样品的磁性进行了测量和研究.研究发现La掺杂的Bi(Fe0.95 Mn0.05)O3材料磁性有较大的提高,而Pb掺杂Bi(Fe0.95Mn0.05)O3样品的磁性减弱.同时,利用同步辐射实验技术对样品的局域结构进行了研究,进而分析样品磁性变化的原因.     

Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理

根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备的ＺｒＯ２－ＳｎＯ２薄膜的气敏性能数据，提出了常温下ＳｎＯ２（ＺｒＯ２）薄膜对Ｈ２Ｓ的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。