~(19)F(p,αγ)~(16)O瞬发核反应测定茶叶中的含氟量

本文介绍了在400kV高压倍加器上,利用~(19)F(p,αγ)~(16)O瞬发核反应测量国内150余种茶叶样品含氟量的原理及实验装置,给出了一批典型的测量结果。结果表明:同一品种的茶叶,茶的品级数越大,含氟量越高;茶叶的品种越好,含氟量越低。     

用31.2MeVα粒子的前向散射测量薄层及薄膜厚度

利用离子束进行散射分析,虽然早就有人做过,但是直到七十年代才有了真正的发展。1973年、1975年、1977年和1979年召开的四次专业性国际会议上,已经发表过大量文章。 离子束散射分析能够区分靶核的质量数,可用作定量分析。其最重要的特点是能够给出靶核浓度随着深度分布的信息,特别适用于分析轻基体材料中的重元素杂质。并且,还具有无损、直观、可靠等优点。它的可分析深度一般是从几十埃至几微米的物质近表面区域。所以,近几年来散射分析在表面分析研究中得到迅速的发展和广泛的应用。例如,在电子材料、材料科学、核能材料研究等方面,它都有很多应用。     

离子束散射分析

离子束散射技术得到广泛应用还只有十几年的历史。目前,在国际上它已广泛应用于电子材料、核能材料及材料科学等领域。它的主要优点是简单、快速、直观、可靠。它无需标准样品即可进行定量分析,无需腐蚀、剥离表层即可给出深度分布信息。     

放射性同位素和射线应用仪表中的随动补偿方法

本文对“常平衡随动补偿的原理、调制射线束、选频放大的方法”进行了分析计算。结果表明,这种原理和方法能够克服诸如:环境温度、压力、温度的变化,电子元件老化,市电波动等因素对测量带来的不利影响。因而,采用此法可以制成各种高精度测量的放射性同位素及射线应用仪表。     

背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度

在制造同轴锗(锂漂移)探测器时,为了减少表面漏电流、降低噪声,需要在锗表面生长一层有一定厚度的氟化钙复盖膜。因此,在选择加工工艺条件时,要求测量此层的厚度。 背散射分析一般不适合于测量重基体表面上的轻材料薄膜.我们用测量基体背散射能谱的位移量的方法,测出了锗(锂漂移)表面上氟化钙薄膜的厚度。     

钽电容器电介质层厚度的测量

金属钽片在阳极氧化处理过程中,在不同的电解液、电解电压及通电时间下,会形成不同厚度的Ta_2O_5层,即可制成各种不同耐压规格的钽电容器。钽基片上的Ta_2O_5层厚度与阳极氧化工艺之间的数量关系过去不太清楚。用离子束背散射方法便可很好地解决这一问题,并且具有简便、可靠、无需标准样品、不破坏样品等优点。钽片的阳极氧化处理一般有两种方法。一种是先预赋能,然后再赋能;另一种是不预赋能而仅     

硅基体的金属钼反冲注入

在某基体的表面,真空蒸镀一层其它材料的薄膜,用离子轰击时将引起原子级联碰撞而导致基体原子和薄层原子的混合,特别是在界面区域的混合。所谓反冲注入是指薄层原子在此过程中进入基体的现象。目前,离子束混合已开始应用到半导体器件及金属等材料改性的领域中。     

带电粒子瞬发核反应分析

带电粒子瞬发核反应分析是最近十多年来发展起来的一种新的离子束分析技术,从1973年起至今已召开了5次国际会议,并发表了大量文章。 带电粒子瞬发核反应分析,是利用带电粒子束照射待测样品,使样品中待测元素发生核反应,然后测量伴随着核反应而瞬时放出的γ-射线或带电粒子,这样可以求得样品的组分、含量和深度剖面分布。它的优点是选择性强(干扰小)、灵敏度高、精确度高、非破坏性及快速。此外还可以对样品表面进行微束(约微米数量级)扫描它适于重基体中轻杂质的分析。带电粒子瞬发核反应分析的灵敏度一般为10~(14)～10~(15)at/cm~2,个别达到10~(12)at/cm~2。分析深度一般为几微米,个别达到几十微米。深度分辨率一般为0.01～0.1μm,有时达20A左右。     

XML文档的DTD层次授权研究

使用控制是近几年提出的新型访问控制模型,全面定义了现代访问控制模型的框架。本文结合使用控制模型提出了一种授权模型,它能在DTD层次上对XML文档进行灵活的访问控制。     

穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比

高精度、高稳定性氮化钽薄膜电阻器,是先在二极阴极溅射钽的同时,向真空室内充入适当量的氮气,进行反应溅射而获得氮化钽膜,再经过热处理和阻值调整后而制得的。实践表明,严格控制制作工艺过程中的氮气分压,使之生成具有一定氮-钽原子比值的薄膜,是制备优质氮化钽薄膜电阻器的关键之一。