脉冲中子源中子产额稳定性的评定

中子产额的稳定度是脉冲中子源的一项重要指标.文中介绍了一种评定脉冲中子源产额稳定性的新方法.测试系统由长计数器和一对性能基本相同的积分型探测器组成,中子产额的稳定度直接通过数据处理获得而无需对各探测器测量的不确定度进行分别评定.通过不同探测器得到的实验结果彼此符合很好.     

真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为

采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程，分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明，当脉冲工作电流为10^1—10^2A时，真空弧离子源放电区一般只有单个阴极斑，阴极斑的位置在同一次放电中的变化很小；较大的脉冲工作电流有利于提高阴极斑的温度，并最终导致氢离子浓度的增加，但也会使阴极材料的溅射更加严重，造成离子源等离子体品质下降。     

离子源研究中的光谱诊断

在离子源研究中,光谱分析作为一种重要的实验手段具有不可替代的优越性和便利性.作为一种非接触式的等离子体诊断手段,光谱分析可以在不影响离子源放电工作状态的前提下,对离子源放电等离子体的有关参数迅速作出测量和判断.本文列举了光谱诊断方法在离子源研究中的几种典型应用.     

真空弧离子源引出束流在加速空间的分布

采用数码相机直接照相的方法来确定真空弧离子源引出束流在加速空间的分布。实验在动态真空实验系统中进行,系统真空度优于2×10-3 Pa。在离子源脉冲工作的条件下,采用数码相机拍摄到离子源引出束流在加速空间的积分图像,得到引出束流的幅亮度在拍摄平面上的相对分布,然后再通过Abel转换得到引出束流在加速空间的径向分布。实验结果表明:真空弧离子源引出束流近似高斯分布,离子源出口处的束流比靶入口处的束流强40%。     

用于荧光灯寿命实验的单次触发启动装置

详细介绍一种荧光灯单次触发启动实验装置原理和电路结构。该装置具有单次触发启动、触发相位可调、预加热时间可调等优点，结构简单、性能可靠。     

真空弧氘离子源中杂质氕对束流品质的影响

分析了真空弧氘离子源中杂质的主要构成,并着重分析了杂质氕的成因及其对氘离子源性能的影响.对单次脉冲和低重复频率脉冲工作状态下的真空弧氘离子源进行了光谱诊断实验和核反应分析实验,结果表明,氘离子源等离子体中的确含有较多的杂质氕,可对氘离子源的引出束流品质产生较大的危害.并对如何减小杂质氕的影响提出了建议.     

白炽灯瞬时启动电磁冲击力的研究

由于金属材料钨的电阻率与温度为正特性关系,灯丝额定工作状态时的电阻是冷态电阻的十多倍,因此启动时白炽灯的瞬时电流远大于额定工作电流。我们采用电磁动力学的方法计算了瞬时启动时灯丝螺旋线圈所受到的磁场力,并就瞬时冲击电流对灯丝寿命的影响进行了讨论。     

d-T和d-D中子产额的可视化计算

开发了一种用于计算d-T和d-D中子产额的计算机程序,并对程序所涉及的相关物理问题以及可视化界面、程序流程和功能特点进行了介绍.     

火花氢离子源的等离子体特性研究

提出了氢离子源等离子体的一维动态CRAM（collisional radiative atomic and molecular）模型，计算了非平衡态（NTE）下等离子体中分子、电子、离子、基态原子、激发态原子共9种粒子浓度以及电场强度、气体温度和电子温度在一个脉冲内随时间和轴向空间的分布。计算表明：氢离子源中粒子分布在轴向极不均匀，阳极附近有很高的粒子浓度；氢原子离子占总离子数的93．9％，与文献值相符；巴耳末系谱线强度与文献值符合较好。