离子注入在核辐射探测器中的应用

半导体的离子注入,就是使杂质元素(如硼,磷,砷)的离子,在加速电压的作用下达到5～100千电子伏的能量,对半导体衬底进行轰击,以得到所需要的杂质浓度的方法。离子束在半导体领域内的应用早已发现,而且一直在进行研究。1948年首先报道了用离子束使半导体电导类型转变的实验;1952年发表了用各种不同的气体离子轰击硅表面可     

硅位置灵敏探测器

半导体位置灵敏探测器是探测带电粒子位置的一种探测器,它具有位置分辨率和能量分辨率高、线性好的优点。在核物理实验和研究工作中——鉴别粒子,角度校正,核极化测量,裂变碎片和重离子的测定以及衰变反冲物的角分布测量等方面得到了广泛的应用。国外研制这种器件的单位较多。目前已达到的水平为:在器件整个长度上满刻度的线性为1%;位置分辨率为0.1毫米;能量分辨率对5.486兆电子伏的α粒子半宽度为50千电子伏;几何尺寸为30×8,40×8,50×8毫米~2。我们所研制的硅位置灵敏探测器见图1。     

HP-Siγ射线计数器

HP-Siγ射线计数器是目前室温条件下γ射线强度测量较为理想的探测器,它具有工作偏压低、体积小、线性好、性能稳定等特点。     

~6LiF夹心半导体中子探测器

本文叙述了有效直径为8mm的金硅面垒探测器与~6LiF组合成的夹心半导体中子探测器。每一个面垒探测器对~(241)Am的5.486MeVα粒子的分辨率FWHM好于50keV。在热堆和快堆上测量的热中子能量分辨率为:对180μg/cm~2的~6LiF,FWHM为310keV;对30μg/cm~2的~6LiF,FWHM为70keV。为快堆中子能谱和通量测量提供了一个途径。     

制备dE/dX探测器新工艺

参考国外电解化学腐蚀和化学择优腐蚀工艺,经两年来数十次试验证实,这两种工艺只适用外延硅材料。我们探索了一种既适用于外延硅材料又适用于高阻硅材料和包含有PN结样品的全耗尽探测器的制备工艺——光照观察化学腐蚀法。此工艺具有重复性好、成品率高、厚度均匀、有效面积大及探测器性能好等优点。     

NTD硅探测器

采用国产NTD硅单晶,研制了性能较好的NTD硅探测器。用它精确测定14MeV中子能量和作为γ射线计数器均取得了较满意的结果。其性能指标为:反向偏压1kV,漏电流≤5μA,26℃;对~(241)Am α源,FwHM为31-50KeV,26℃;对~(137)Cs 625 keV的内转换电子,FwHM为6.85LeV,-2℃。     

有机闪烁体—■晶体制备

本文叙述■晶体生长的全部过程,详细讨论了原料提纯、晶体生长和加工等问题。文中采用的真空蒸汽凝结法和直角形晶种管对原料的纯化和控制,晶体生长的取向,避免晶体解裂都起着关键作用。生长Φ50×150mm以下的(艹氐)晶体成活率达70％以上,加工封装好的最大晶体尺寸为Φ90×70mm。并在生长大体积晶体过程中对结晶容器、炉温分布和隔板孔径等问题均作了改进。     

离子注入PIN电流型探测器

本文叙述了离子注入PIN电流型探测器的制备,并对一些问题进行了讨论。探测器指标:在300伏反向偏压下漏电流一般小于10微安,好的可小于3微安;工作状态下线性输出电流大于2安;φ20毫米的样品上升时间小于8毫微秒,φ8样品上升时间可达3毫微秒。在使用中得到了较好的结果。     

环形金-硅面垒探测器

一、引言硅面垒探测器具有体积小、能量分辨率高、工作电压相对比较低等优点,所以在核物理实验和研究中得到了广泛的应用。但在一些特殊的应用和研究场合下,一般硅面垒探测     

NTD硅单晶及其探测器

利用反应堆对单晶硅进行中子辐照,实现单晶硅掺磷是七十年代发展起来的一项新的掺杂工艺,称为中子嬗变掺杂(简称NTD)。用NTD硅来制备核辐射探测器目前国内外都十分关注。高纯高阻硅单晶的发展相对说来比较缓慢,主要是在提纯和晶体生长工艺中遇到了很大的困难。目前用区熔法很难得到ρ高于30 kΩ·cm且均匀性较好的N型硅单