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HP-Siγ射线计数器是目前室温条件下γ射线强度测量较为理想的探测器,它具有工作偏压低、体积小、线性好、性能稳定等特点。 相似文献
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本文叙述了有效直径为8mm的金硅面垒探测器与~6LiF组合成的夹心半导体中子探测器。每一个面垒探测器对~(241)Am的5.486MeVα粒子的分辨率FWHM好于50keV。在热堆和快堆上测量的热中子能量分辨率为:对180μg/cm~2的~6LiF,FWHM为310keV;对30μg/cm~2的~6LiF,FWHM为70keV。为快堆中子能谱和通量测量提供了一个途径。 相似文献
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参考国外电解化学腐蚀和化学择优腐蚀工艺,经两年来数十次试验证实,这两种工艺只适用外延硅材料。我们探索了一种既适用于外延硅材料又适用于高阻硅材料和包含有PN结样品的全耗尽探测器的制备工艺——光照观察化学腐蚀法。此工艺具有重复性好、成品率高、厚度均匀、有效面积大及探测器性能好等优点。 相似文献
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本文叙述■晶体生长的全部过程,详细讨论了原料提纯、晶体生长和加工等问题。文中采用的真空蒸汽凝结法和直角形晶种管对原料的纯化和控制,晶体生长的取向,避免晶体解裂都起着关键作用。生长Φ50×150mm以下的(艹氐)晶体成活率达70%以上,加工封装好的最大晶体尺寸为Φ90×70mm。并在生长大体积晶体过程中对结晶容器、炉温分布和隔板孔径等问题均作了改进。 相似文献
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