单板计算机的故障模式与机理及影响分析

故障模式、机理及影响分析((FMMEA）是研究产品的每个组成部分可能存在的故障模式、故障机理并确定各个故障模式对产品组成部分和功能的影响的一种可靠性分析方法。详细介绍了对单板计算机进行FM-MEA的实施过程,包括系统定义,确定潜在的故障模式,分析故障原因、故障机理、故障影响等一系列的过程。对单板计算机进行了有限元建模,并通过热应力分析和振动应力分析,得到了其在不同环境下的温度分布、振动模态等信息,为故障物理模型提供输入。利用各种故障物理模型对单板计算机各单点的故障进行了定量的计算。分析结果表明：由温度循环引起的小外形封装(SOP）的随机存储器芯片的焊点疲劳故障的故障前时间最短,是整个电路板的薄弱环节;焊点热疲劳故障为单板计算机主故障机理,在实施PHM过程中要重点监测该部位的故障状况。     

自然养护下粉煤灰水泥砂浆的力学性能研究

文章研究了自然养护条件下水胶比分别为0.35、0.45和0.55,不同粉煤灰掺量的水泥砂浆的抗折和抗压强度变化.结果 表明:粉煤灰水泥砂浆的早期力学性能低于基准组(不掺粉煤灰的砂浆),且粉煤灰掺量越高,力学性能降低的越显著;但粉煤灰掺量较低(10％)时,对应砂浆的后期强度略高于基准组;尽管粉煤灰掺量分别为20％和30％...     

微发泡注塑成型技术的研究和应用

介绍了微发泡技术的发展情况和基本原理,阐述了微发泡注塑成型技术,对MuCell系统在海天注塑机上的应用做了详细的分析,概述了微发泡注塑系统的优势和具体应用。包括MuCell微发泡专用的塑化单元,塑化单元辅助设备,螺杆位置控制功能,提供必要的信号给微发泡系统,注塑机操作界面加入MuCell相关操作,急停互联等。     

北方地区造纸车间新风机组热水加热器防冻研究与解决措施

本文分析了我国北方地区造纸车间新风机组热水加热器防冻保护问题。根据实际工程案例及已有设计经验,针对新风机组的加热器冻结原因进行分析,并提出解决方法。     

RBF神经网络中指数函数e~x的FPGA实现

RBF径向基神经网络在工程中,尤其是各种智能控制中的应用十分广泛。其隐含层的非线性激活函数经常采用高斯径向基函数,这一函数为一指数函数。指数函数用硬件实现起来比较困难。本文提供了一种应用CORDIC算法在FPGA上实现ex的方法。这种方法具有硬件实现简单、误差小和便于VLSI等优点。     

东海平湖油气田中高渗凝析气藏开发效果分析

东海平湖油气田放鹤亭始新统平湖组气藏,属中高渗砂岩中低凝析油含量凝析气藏,1999年3月投入生产,采用衰竭式开采,至今已有8个年头,目前仍处于开发稳产阶段,日生产天然气量在140×104m3左右。通过对平湖油气田凝析气藏开发生产状况跟踪研究发现,其采气速度高、主力气藏气井无水采气期普遍较长、气油比随着压力下降而上升、凝析油含量随着压力下降而下降、天然气采收率将优于开发方案设计值,同时也发现,防止气井出水、出砂是中高渗凝析气藏开发中应予以高度重视的问题。平湖油气田凝析气藏开发,在技术上和经济上都取得了较好的效果,可以借鉴于类似凝析气田的开发实践中。     

国产铁矿石价格稳中有升

今年以来 ,除少数矿区铁矿石价格与年初持平或略有下降外 ,大部分国产铁矿石市场成交价格均呈上升势头。从近期的成交价格看 ,华东地区铁矿石普遍趋涨 ,如繁昌矿则从年初 2 2 0元 /ｔ至 2 80元 /ｔ。山东金岭、鲁中铁矿石价也明显上升。山西铁矿石价普遍看涨 ,与去年同期比 ,每吨上升 30～ 80元。在山西 1 0个矿中 ,价格上升的有 8个 ,仅 2个矿区的价格与去年同期持平 ;河北矿区矿石价格大部分平稳 ,但邯邢矿含铁 66%的价格有所上扬 ,从 2 5 8元升至 2 90元。从下降的少数矿区看 ,降幅并不大 ,总体上国产铁矿石价格呈上升势头国产铁矿石价格…     

造纸车间通风设计初探

结合国内各类造纸车间通风设计的经验、教训以及国外大型造纸车间的设计经验,总结了一套适合我国国情的大型造纸车间的通风设计方法。     

小麦不同程度萌发后其加工品质的变化

为了解小麦萌动和发芽程度对其加工品质的影响,以经80℃高温快速干燥和自然晾晒干燥处理的不同程度萌动(鼓泡、皮裂、露白)和发芽(芽长为小麦籽粒长度的一半、芽长与小麦籽粒长度相同)小麦为研究对象,测定其出粉率、沉降值及粉质特性指标。结果表明:随着小麦萌动和发芽程度的加深,小麦的出粉率,面团吸水率、形成时间、稳定时间及粉质指数均呈现下降趋势,面团弱化度则逐渐上升,而沉降值变化并无规律。高温快速干燥能抑制小麦吸水率的下降,延长面团的形成时间和稳定时间,由此可见,干燥可抑制萌动、发芽的小麦加工品质劣化,因此一旦发现小麦萌动应立即进行干燥。差异性分析可知,小麦在萌动和发芽过程中大部分加工品质指标均从皮裂期开始出现显著性差异,建议将处于皮裂期至芽长不超过籽粒长度作为判定生芽粒的标准。     

SiH_4-SiCl_4-H_2、SiH_4-HCl-H_2混合硅源CVD法生长硅晶体的热力学研究

本文从热力学角度,通过计算机计算,研究了SiH_4—SiCl_4—H_2及SiH_4—IICl—H_2混合硅源气相生长硅晶体体系的平衡状态。给出了不同配比的混合硅源沉积硅的产率和产率随温度、压力等控制参数变化的图解。根据准平衡理论计算了混合源体系中硅的沉积速率,计算结果与有关实验数据具有一致性。我们还进一步提出了一系列有关混合硅源生长硅晶体工艺的参考意见。