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FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究 总被引：4，自引：1，他引：3
给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256和29C256器件的14
MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有“0”→“1
”错误。错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无错误;
当中子注量达到一定值时,开始出现错误。随着中子注量的增加,错误数增加,直到所有“0”变为“1”。
动态监测和静态加电的器件都出现硬错误,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下,不加电的器件无错误,而加电的器件都出现错误,并且出现不确定性错误。 相似文献
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