AN INVESTIGATION OF THE PLASTIC ZONE IN THE VICINITY OF THE CRACK-TIP BY POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUE

<正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性     

中子活化分析中各元素之间的相关性—R矩阵的计算

本工作中应用一次实验的数据具体计算了:(1)60至1700keV间的各种能量的γ射线的相对探测效率与探测效率;(2)34种元素在中子活化中产生的40种放射性核素的相对生成速率与生成速率;(3)照射位置的中子通量(用诸元素的天然同位素的热中子(n,γ)反应截面计算得出):(4)诸核素之间R矩阵元。 1.实验工作 将以下单元素标准和多元素混合标准:(1)Os、Ir、Ru和Re,(2)La、Nd、Eu、Gd、Tm、Yb和Lu,(3)     

~(158)Gd与~(152)Gd堆(慢)中子俘获截面之比值

用~(159)Gd(i)与~(153)Gd(j)的生成率(B_i~o与B_j~o)和~(158)Gd与~(152)Gd的热中子俘获截面文献值(σ_i与σ_j)分别计算得到的照射处的表观中子通量(I_i与I_j)之间的比值R_(ij)称中子活化R矩阵元。~(175)Yb(k)与~(169)Yb(l)的生成率之比值R_(kl)称中子活化R矩阵元。R_(ij)的五个结果的平均值为1.66±0.05。R_(kl)之平均值为10.8,可以认为照射处的中子能谱接近于热中子能谱。     

用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区

正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性     

在正电子湮灭辐射多普勒加宽能谱测量中降低本底的初步尝试

在Ge(Li)γ射线能谱仪上,连接一个NaI探测装置进行正电子湮灭辐射的多普勒加宽能谱的符合测量时,测到能谱的本底可以降低。这将有利于观察高动量电子在能谱中的贡献,并能给低能尾部谱形分析带来好处。 NaI晶体尺寸是φ40×30mm,光电倍增管型号是GBD44,主放大器是FH-430,单开端同轴型Ge(Li)探测器的灵敏体积是136cm~3,测量时,把NaI探测器与Ge(Li)探测器放在同一条轴线上,~(22)Na正电子源和样品置于二个探测器之间。NaI探测器一边的信号经单道分析器选择能量(窗在0.4～0.6MeV)作为多道分析器     

~(174)Yb和~(168)Yb堆(慢)中子俘获截面之比值

用~(175)Yb(i)与~(169)Yb(j)的生成率(B_i~0与B_j~0)和~(174)Yb与~(163)Yb的热中子俘获截面文献值(σ_i与σ_j)分别计算得出的照射处的表观中子通量(I_i与I_j)之间的比值R_(ij)不是预期的1而是文献值2.46。重复以上实验,由两个样品所得的R_(ij)值分别为2.52和2.45。B_i~0与B_j~0的误差均小于10％。由于~(163)Yb的共振积分与热中子俘获截面之比值8.3比~(174)Yb的(<0.10)为大,R_(ij)的     

长沙马王堆一号汉墓出土枣、梨和梅中微量元素的中子活化分析

马王堆一号汉墓出土了许多果品,我们对其中的枣、梨和梅三种果品用中子活化分析法测定了23种微量元素的含量。 枣和梨均用石英片刮削,将果肉与果核分开,梅残存很少量果肉,未作分离。样品全部在低温灰化炉中进行灰化处理,在反应堆反射层中照射24小时,用仪器SCORPIO-3000程控     

氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量

国外用正电子湮灭技术对电子、质子、中子辐照过的硅单晶进行了研究。证明辐照过的硅单晶都产生缺陷,这些缺陷都能捕获正电子,引起正电子湮灭寿命谱的变化。 国产的一种硅单晶是在氢气氛中生长的,在生长过程中有氢气进入,在这种硅单晶中有硅氢键存在,当     

POSITRON ANNIHILATION STUDY ON THE DISTRIBUTION OF DEFECTS IN THE PLASTIC ZoNE A-T CRACK TIP

用楔形加载试样测定了裂纹顶端区正电子湮没多普勒加宽谱的S参数,并确定了试样充氢以后S参数的变化。经过标定,定出塑性区内的等应变曲线。充氢以后,使塑性内的等应变曲线向外扩展,在最大切应力方向发展最快。作者认为氢使塑性区内的位错增殖或可动位错滑移,同时产生空位。     

SmCo_5永磁合金回火效应的正电子湮没研究

SmCo_5从～900℃急冷后,有很高的矫顽力,在～700℃回火后却急剧地下降,其原因至今还未完全搞清楚,我们对SmCo_5的回火效应进行了研究。合金含36—36.5wt.％Sm,经1135℃烧结后,先降至1100℃保温30分钟,再降至900℃保温1小时,而后空冷至室温。样品在710℃氩气气氛保护下进行0—80分钟回火处理。实验结果见下图。