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通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲(SET)效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能量传输(LET)值下的SET波形特征及其变化规律,得到了器件SET效应的等效LET阈值为10MeV•cm2•mg-1,而饱和截面数值则高达1.2×10-3cm2。试验验证了4N49的SET效应对后续数字电路的影响状况,定量研究了SET效应减缓电路的有效性,通过设计合理的电路参数可将器件在5V工作电压下的SET效应阈值由7.89MeV•cm2•mg-1提高至22.19MeV•cm2•mg-1。4N49的SET效应试验研究为光电耦合器SET效应的测试及防护措施的有效性验证提供了新的试验方法。 相似文献
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使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。 相似文献
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随着发光二极管(Light Emitting Diode,LED)应用需求的增加,对其电子束辐照效应的研究是目前的热点,因此需要设计一个数据获取系统,实时监测发光二极管性能参数在辐照过程中的变化。利用小电流计、功率计、光谱仪、低压电源等设备完成系统硬件搭建,以Lab VIEW为开发平台完成了对串行通讯接口RS-232、通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)和局域网(Local Area Network,LAN)三种接口通信协议的软件实现,并进行数据存储和显示,在局域网内利用远程桌面连接实现远程监测。利用该系统完成了在1.5 Ge V电子束辐照过程中对Ga N光电特性参数和环境参数的实时采集、存储和显示。 相似文献
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为了满足串列加速器粒子能量高稳定度的要求,需采用缝隙仪来稳定加速高压的方式,利用缝隙仪高、低能端束流强度的差异反馈稳定头部高压。由于束流变化动态范围较大,在前置放大器中采用对数放大来满足束流强大动态范围的要求。根据串列加速器高压稳定系统的实际需要,设计了采用ADL5303的对数前置放大器电路,并对该电路做了仿真和实验测试,得到了理论和实际对数放大曲线。结果表明,对数放大器范围可以从100 pA到1 mA,可以实现大范围束流变化下对高压稳定系统的调节。 相似文献
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