252Cf 随机脉冲源法测量深次临界瞬发中子衰减常数

运用²⁵²Cf 随机脉冲源法时幅变换(TAC)方式测量系统,实验获得高浓缩铀椭球壳核系统的瞬发中子衰减常数α。采用单指数和双指数最小二乘法拟合，α值均为100μs^-1。用蒙特卡罗方法模拟实验过程，α计算值为110μs^-1。结果表明，该系统对深次临界α的测量是有效的。     

微扰法计算金属型脉冲堆的温度系数

采用蒙特卡罗中子输运程序计算小块燃料对金属型脉冲堆反应性的微扰系数,以质量逐渐减少的方式逐步逼近到线性范围内,获得满足一阶微扰近似条件的质量变化范围,逐点计算了微扰系数函数。然后采用ANSYS有限元程序计算了不同温度下的热膨胀,获得了膨胀后的位移分布。由微扰系数函数和位移分布获得了不同温度下的反应性,建立了基于微扰法的脉冲堆温度系数计算方法。计算得到了球形和柱形装置在脉冲状态和稳态的反应性温度系数。     

252Cf快电离室在核物理参数测量研究中的应用

介绍了252Cf快电离室的基本原理和技术水平,描述了它在飞行时间测量、探测器效率标定、瞬发中子衰减常数测量以及252Cf源驱动噪声分析技术等核物理参数测量研究中的应用.     

飞行时间效应对含氢系统瞬发中子衰减常数测量的影响

为实验获取含氢介质核系统的瞬发中子衰减常数,对中子飞行时间效应的影响进行了数值计算,并设计实验来验证分析结论。结果表明,当中子的飞行时间效应显著时,测量结果的准确性将受到影响;对热中子灵敏的6Li玻璃探测器,通过减小探测距离和屏蔽低能中子可降低中子飞行时间效应的影响。     

252Cf源驱动噪声分析法测量α初步研究

在一球形浓缩铀临界装置上,采用²⁵²Cf源驱动噪声分析方法对其次缓发临界状态下的α进行测量,在频域内分析数据得到α。对比频域内的两种数据处理方式（功率谱实虚部相除方法和功率谱取模直接拟合方法）,用互功率谱密度函数实虚部相除方法得到在-0.1$情况下,脉冲堆的α为0.58μs^-1,与Rossi-α方法的结果相吻合。     

10^6量级^252Cf自发裂变中子源用屏蔽操作柜设计

描述了106量级252Cf自发裂变中子源用屏蔽操作柜的研制情况.介绍了该屏蔽操作柜的设计原则、设计考虑、屏蔽计算和屏蔽材料的选择.并用小强度源实际测量屏蔽操作柜性能.研制的屏蔽操作柜材料从外到内为不锈钢外壳(2mm)、聚乙烯(150mm)、不锈钢内壁(20mm).在操作者操作位置处中子屏蔽达到9倍,γ屏蔽达到近3倍.结果表明该屏蔽操作柜能满足操作人员实际操作需要和所受剂量限值要求.     

国内细胞辐射效应研究进展

简要介绍了国内近10年来在细胞辐照效应方面取得的进展,包括辐射源、检测技术和损伤机理等,也提出了在该学科当前的研究热点和普遍感兴趣的方向,认为加强各学科的合作,深入损伤机理的研究是当前的重点.     

柱形金属铀次临界系统瞬发中子衰减常数测量

次临界核系统的瞬发中子衰减常数α与反应性有着重要联系。采用²⁵²Cf随机脉冲源法测量了一柱形金属次临界系统的瞬发中子衰减常数。为对源中子的影响进行分析,借助蒙特卡罗模拟方法建立模型进行了模拟,对源直穿中子和核系统瞬发中子时间分布特性进行了比较,分析了源中子对瞬发中子衰减曲线的影响。模拟结果表明,对该柱形金属铀系统,源中子注入100 ns后源直穿中子对核系统瞬发中子的影响可忽略。根据分析结果选取了合理起始道,对实验数据进行单指数最小二乘拟合,得到该次临界系统的α为15.5μs^-1。     

平板型微252Cf源在核物理实验中的应用

简要叙述了平板型微252Cf源在中子物理、抗核加固以及核泵浦激光实验中的应用情况,着重介绍了实验装置中真空室的设计特点以及与各种实验相应的测试系统.     

计数率测量仪死时间的确定方法

采用反应堆不同的运行功率和缓发中子不同时刻的衰减作为模拟源,测量出两套计数率测量仪的死时间分别为3.65和5.18μs,并提出利用反应堆的功率周期上升测量计数率测量仪死时间的方法。