掺杂β-C_2S的正电子湮没和水化研究

用正电子湮没技术(PAT)研究了掺Na_2O和P_2O_5的β-C_2S正电子寿命谱。按照正电子捕获理论对实验所得的寿命谱参数与硅酸二钙微观结构的关系进行了讨论。结果表明,长寿命成分τ_2(约470ps)相当于钙空位缺陷对正电子的捕获。长寿命成分τ_2的强度I_2随Na~+掺量增加而减小,随P~(5+)掺且增加而增加。证实Na~+进入Ca的位置并产生阴离子空位,而P~(5+)进入Si~(4+)的位置并产生Ca~(2+)空位;随Na~+或P~(5+)掺量增加,阴离子空位或Ca~(2+)空位浓度增加。实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂β-C_2S微观结构缺陷的一种有效手段。 本文还就硅酸二钙烧成和水化活性与掺杂的关系进行了研究和讨论。     

用PAT研究两种硅橡胶的大分子结构特征

用未硫化的甲基乙烯基硅橡胶和接枝室温硫化硅橡胶作正电子湮没实验的结果表明，甲基乙烯基硅橡胶的τ１，τ２均较ＲＴＶ的短，而τ３较长。对这一现象作了定性的解释。     

用正电子湮没方法测定铌酸钾晶体的色心浓度

铌酸钾(简称KN)晶体是一种优良的非线性光学材料。它不仅在激光技术应用上有广阔的前景,而且对晶体缺陷、结构相变等基础理论研究亦可提供丰富的信息。 制得的KN晶体常会呈现不同的颜色,认为这种颜色是色心引起的,建议用退火方法消除之。现在缺少一种简便的测量KN晶体色心浓度的方法。我们用正电子湮没方法测量了:①无色、淡蓝、蓝色(化学成份相同)三种KN晶体的寿命谱;②同一块KN晶体退火(1000℃,10小时)前、后的正电子湮没谱。③同一块KN晶体辐照前、后的正电子湮没谱(辐照处理条件是,X光管电流200mA,功率12kW,辐照时间80min),测量结果如下。     

正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序分析

本文分析美国乔治亚大学徐孝华教授提供的正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序NFIXED,详细地介绍了其使用方法。在使用中略加改进,对α-Fe样品的正电子湮役寿命谱进行多次计算,将获得的寿命值与通用的寿命值相比较,相差均<10ps。显然,这个程序的计算效果是好的。     

用正电子湮没技术研究掺杂粉末β-C_2S的缺陷

对硅酸二钙(Ca_2SiO_4简写为C_2S)掺杂,可以影响它的微观结构、多晶转变、烧成速度等。硅酸二钙是干燥的坚硬粉末,不易压制成型。我们采用垂直放置闪烁探头的测量方法,测量了β-C_2S粉末的正电子湮没寿命谱。结果表明,中间寿命τ_2(约470ps)组分,相应于正电子在钙空位处束缚态湮没。I_2随Na掺量增大而减小,随P掺量增加而增大,表明Na进入Ca位置并产生阴离子空位,P~(5+)进入Si位置并产生Ca~(2+)空位。     

多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序

本文提供一个消除仪器的时间分辨函数影响作多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序(NFIX ED),其源程序是美国乔治亚大学徐孝华教授赠送的。这个程序只有一个主程序,无子程序,结构简单,适合用小型计算机处理数据。程序流程中,根据不固定或固定(寿命和强度)成分的需要分十二种情况进行处理,由指示变量(J_6)来选择,变化灵活,效果显著。又使用解行列式的方法求修正参变量,进行迭代运算,避免了解方程的复杂程序设计。用此程序要注意以下几点:     

用正电子湮没技术测定硅橡胶的分子量

根据S.Y.Chuang等人的假定,简单地导出了硅橡胶中正电子湮没寿命和重均分子量之间的线性关系。用生胶材料作正电子湮没实验,实验结果表明正电子湮没寿命和重均分子量之间确有线性关系。用此线性关系测定生胶的重均分子量,并将测定的结果与用粘度法测定的结果相比较,两者相对偏差小于3.7％。 本文还对用正电子湮没技术测定的重均分子量的结果作了讨论,提出了用该方法测定生胶的分子量有一定的实用价值。     

γ辐照下聚四氟乙烯材料正电子湮没寿命谱的研究

我们对国产聚四氟乙烯材料在空气中进行了~(60)Coγ射线辐照,辐照剂量为1—6Mrad。测量、分析了不同辐照剂量时的正电子湮没寿命谱。得到的结果是:(1)τ_3随剂量的增加轻微地降低;(2)I_3随剂量的增加明显地下降;(3)I_2/(I_2+I_3)值随剂量的增加明显地上升;(4)I_2等其它参数基本上不受辐照的影响。     

用PAT研究多嵌段聚醚氨酯脲的微畴结构

本文用正电子湮没、小角X射线散射和差示扫描量热等方法研究多嵌段聚醚氨酯脲的微畴结构。实验结果表明,硬段含量的增加引起微畴体积和自由体积减小,而软段分子量增加引起微畴体积和自由体积增大。