P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟

CMOS集成电路在LSI、VLSI中占有显著地位,它是当今乃至今后一段时期集成电路发展的主流。研究CMOSIC沟道、P~-阱注入杂质的分布和再分布规律,对于指导工艺实践和提高电路性能具有现实意义。     

二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相沉积与应用

开发了一种全新的等离子增强化学汽相沉积氧化硅和氧化硅薄膜制作并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺，提高和保证了器件的性能和可靠性。     

二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相淀积与应用

开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。