测量2γ湮没辐射的快-慢符合角关联装置

正电子湮没辐射角关联技术是正电子湮没谱学的基本手段之一。湮没辐射角关联曲线的测定能提供有关电子动量密度和费米面等方面的信息,并应用在金属、合金和固体材料等的研究中。本装置是测量2γ湮没辐射的一维快-慢符合角关联装置,它由一个扇形测量台和一个可移动的平台组成,总长约为4m。可动探头与样品装在测量台上,固定探头装在可移动的平台上,探头表面与样品之间的距离为1.5m,并可根据工作需要和辐射源强度的变化作适当的改变。转动手轮可驱动可动探头绕着样品的中心轴转动,转动的角度由测量台上的标尺读出。可动探头中心的角扫描范围为±30毫孤度。辐射源为10mCi的Na~(22),由专用架定位。辐射源和探头均用铅屏蔽。样品由样品架定位,其角度可作微小的调整。样品中产生的湮没辐射经过主、次两个准直器后由探头吸收测量。准直器的形状(圆孔或长缝)和大小(1—4mm)可以更换。典型的几何角分辨为0.66毫弧度。装置的对中由激光校准,水平由水准仪校准,移动平行度由加工精度保证。整个装置拆装和移动均比较方便。     

ION IMPLANTATION OF DIAMOND-LIKE CARBON FILMS

Diamond-like carbon (DLC) films (a-C:H) were implanted by 140 keV and 110 keV Ar ion beams. The resistivities of the implanted films decreased dramatically under a dose of 2×1016 Ar/cm2 . IR spectra and optical gap Eopt were measured. It was found that the sp2 and sp3 components decreased due to the loss of hydrogen during implantation, and the ratio of components sp bonds to sp bonds increased with the ion dose. And the optical gap Eopt decreased from 1.46 eV to 0.83 eV. The hydrogen (bonded and unbonded) contents in the films were measured with the nuclear resonant reaction 1H(19 F, x 7) 16O. It is shown that hydrogen plays an important role in affecting some properties of DLC fims.     

用核反应法测定a-Si_(1-x)C_x:H膜中的硼含量

本文讨论了用共振核反应~(11)B(p,a)aa(E_p=700keV)测定太阳电池材料a-Si_(1-x)C_x:H膜中硼含量的方法。文中描述了标准样品的制备和标准曲线的测量,并对实验中存在的误差作了讨论。     

宽共振核反应α谱的计算机模拟与硼的深度分布研究

本工作介绍了一种地＾１＾１Ｂ（ｐ，α）＾８Ｂｅ在Ｅｐ＝６７５ｋｅＶ强宽共振反应产生的α谱模拟计算方法。这种方法用于１９６ｋｅＶＢＦα＾＋分子离子注入硅和掺硼金刚石薄膜中硼浓度深度分布的研究，并取得了好的结果。     

渗氮钢表面氮含量的核反应分析研究

本文研究了利用核反应~(15)N(p,αγ)~(12)C分析渗氮钢表面氮含量的最佳测试条件。在入射质子能量为1MeV时,分析灵敏度为～0.03％。工厂实际检测结果表明,在渗氮炉中部,~(40)Cr钢渗氮表面的氮含量为(9.1±0.6)％,而上下边沿部位表面氮含量明显降低。对氮的深度分布进行了讨论,核反应分析法对渗氮产品质量的检验和工艺的改进具有实用价值。     

塑料闪烁体环探测器作反符合屏蔽的NaI(Tl)γ能谱仪

本文报告了一个用塑料闪烁体环探测器作反符合屏蔽的NaI(T_1)γ能谱仪的结构及主要性能。它采用Φ76×76mmNaI(Tl)晶体作为主探测器和符合探测器,以自制的Φ500×520mm塑料闪烁体作环探测器。在有无井型反符合屏蔽条件下,能量范围0.1—2MeV时,谱仪的积分本底比为2.8,对~(137)Csγ源的康普顿减弱因子(积分比)为2.5。当源位于晶体表面中心时,谱仪对~(137)Cs源的能量分辨率和全能峰效率分别为9.5％和8.4％。     

~(241)Am-Be中子活化分析土壤中铝的含量

近年来,中子活化分析技术在土壤元素分析中受到重视,中子活化法测定土壤中Al较方便。因为地壳中铝含量大,~(27)Al(n,γ)~(28)Al的热中子反应截面较大,~(28)Al发射的γ射线能量较高(1778.91keV),γ谱干扰影响小,半衰期2.243分,对辐照和测量适宜。考虑到同位素中子源强度低和土壤不均匀等造成的困难以及同位素源中子产额稳定性好的特点,我们在适当加大样品量的同时,用多样品累积计数和混合样品重复活化法进行分析,提高了分析精度,     

反冲质子谱的计算模拟及氢深度分布的研究

本文介绍了一种弹性反冲探测分析冲质子谱模拟的计算方法。用这种方法对４０ｋｅＶ质子注入硅中和非晶硅薄膜中氢浓度的深度分布进行了研究，并取得了良好的结果。     

核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究

报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用~(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温度下辉光放电制备的掺硼氢化非晶硅-碳膜中硼的深度分布。给出了不同衬底温度下淀积薄膜中硼深度分布的一些特征。结果表明反应产额曲线的模拟对改善共振反应分析的深度分辨和简化分析方法是有效的,对掺硼非晶硅薄膜中硼的深度分布研究是有益的。     

一种α谱的计算机模拟方法与硼的深度分布研究

本工作介绍了一种对＾１１Ｂ（ｐ，ａ）＾８Ｂｅ在Ｅｐ＝６６２ｋｅＶ强宽共振反应产生的α谱模拟计算方法，这种方法用于表面扩硼，硼离子注入和掺硼薄膜等样品中硼浓度深度分布的分析，并取得了好的结果。