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氧化铝具有优良的绝缘和阻氚性能,是ITER候选功能材料之一。本工作采用射频磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)钢基底上制备了氧化铝涂层。分别采用掠入射X射线衍射、Raman激光光谱和原子力显微镜对氧化铝涂层的结构和表面形貌进行了表征;测量了氧化铝涂层体电阻率;研究了氧化铝涂层样品的吸氢特性。结果表明:氧氩比为0.1和0.5下制备的氧化铝涂层为非晶结构,氧氩比为0.4下制备的涂层中出现了结晶程度较差的氧化铝δ相结构;氧氩比为0.1和0.4下制备的涂层粗糙度和粒径均小于氧氩比为0.5下制备的涂层;不同氧氩比下制备的氧化铝涂层体电阻率均超过2.7×1014Ω•cm,氧氩比为0.4下制备的涂层电阻率最高,达到2.1×1015Ω•cm;氧氩比为0.5下制备的涂层样品具有最低的吸氢量。氧氩比对涂层的电绝缘特性和吸氢特性有显著影响。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小. 相似文献
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