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本文探讨了用EDTA/THAM溶液作为金属离子掩蔽剂和OH^-离子的pH调节剂,用氟离子选择电极测定NaF药物牙膏中总氟含量的测定方法。进行了不同条件、不同仪器、不同方法的对比试验;不同物质的干扰试验;方法的重视性,精密度考查(相对标准偏差<1%)和回收试验(回收率在99%-101%之间)。 相似文献
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利用有限积分法对电磁脉冲与腔体孔缝耦合特性进行了研究。选取窄缝为mm量级微小孔缝作为研究对象,借助耦合函数,在矩形多峰共振公式的基础上,分析了正方形环形孔缝共振频率点,同时开展了不同腔体尺寸、缝隙位置和缝隙组合对耦合特性影响的研究。结果表明:正方形环形孔缝多峰共振频率点取决于垂直入射电场的窄缝长边尺寸,所得多峰共振频率点的解析计算值和仿真计算值基本一致,相对误差在5%以内;耦合进入腔体的电场强度由腔体和孔缝尺寸共同决定,窄缝附近存在明显的场增强效应,发生了强烈共振,狭缝处电场幅值高达入射脉冲的60倍。 相似文献
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本文将10 B粉与1,2-二氯乙烷溶剂、芳华树脂粘结剂混合研制了中子灵敏层10 B膜,以此制作一新型涂硼正比计数器。为增加探测效率,除管内壁涂硼外,在管内增置了14片双面涂硼环氧薄片,并用241 Am-Be源测试了其性能。活度为3.7×109 Bq的241 Am-Be源实验表明:此新型涂硼正比计数器坪长约150V,坪斜为8.2%/100V(750~900V);工作电压为800V时测得新型涂硼正比计数器的计数率为50s-1,灵敏度为0.71cm2。与管内壁仅涂硼的正比计数器相比,新型涂硼正比计数器中子灵敏面积增加到3.15倍后,探测器坪长从80 V增至150 V,坪斜从12.4%/100 V改进到7.58%/100V,灵敏度提高到2.63倍。同时,以基于蒙特卡罗方法的Geant4平台,模拟计算单能中子及241 Am-Be源中子照射包裹高密度聚乙烯慢化材料的新型涂硼正比计数器的响应和探测效率。241 AmBe源模拟结果和实验结果吻合较好。实验测试及模拟结果表明,涂硼技术与增加灵敏面积相结合的正比计数器的设计较成功。 相似文献
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圆柱形正比计数管倍增研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析圆柱形正比计数管内电场强度,运用Diethorn公式得出自制圆柱形正比计数管内倍增发生在距阳极30μm以内区域;其最小工作电压为370~670V,且随阳极和阴极直径增加而升高,但随阴极变化较缓慢。正比计数管阳极丝直径减小导致其附近电场强度增强,工作气压降低可使其平均自由程增大,这些均会增加管内次级电子数而使倍增因子增大。采用细阳极丝、低工作气压既可降低正比计数管最小工作电压,还能优化其放大性能,使其更适合于深空中的辐射剂量测量。 相似文献
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涂硼电离室组合快中子探测器研制及其响应函数 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了涂硼电离室组合快中子探测器。用外径分别为55、80、130、220、285 mm的5个高密度聚乙烯圆柱体作为快中子的慢化体包裹40 mm×200 mm的涂硼电离室,组合成一种可测量从热中子到十几MeV快中子的圆柱型Bonner探测器。借助Geant4蒙特卡罗方法模拟计算,给出了这种结构Bonner探测器探测系统的响应函数。将圆柱型Bonner探测器放置在标准中子源辐射场中进行了实验测量。在实际辐射场中,高密度聚乙烯圆柱体外径为220 mm时,圆柱型Bonner探测器的灵敏度达8.702×10-15 A•cm2•s。同时对实验测量值与理论模拟结果进行了比较分析。结果表明,模拟结果与实验值在数据读取误差范围内吻合。 相似文献
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研制了一种能同时测量混合场中γ和中子注量率的涂硼电离室,并实验测试了其性能。涂硼电离室由两个大小和结构一致的腔室组成:1个仅对γ灵敏,另1个对γ与中子均灵敏。用强度为2.7×107 s-1 的Am-Be源测得电离室的中子灵敏度达9.2×10-16 A/(cm-2•s-1),在剂量率为5.24 μGy/h的137Cs γ场中,电离室的γ灵敏度达7.36×10-16 A/(MeV•cm-2•s-1)。涂硼电离室I-V曲线坪长为600 V,坪斜小于4%/100 V,在工作电压为-400 V时,其γ补偿修正系数<5%,可用于核设施周围的混合场监测。 相似文献
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